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K4H560438D-GCB0 Datasheet

  • K4H560438D-GCB0

  • DDR 256Mb

  • 26頁(yè)

  • SAMSUNG   SAMSUNG

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K4H560438D
DDR SDRAM
AC Operating Test Conditions
Parameter
Input reference voltage for Clock
Input signal maximum peak swing
Input signal minimum slew rate (for imput only)
Input slew rate (I/O pins)
Input Levels(V
IH
/V
IL
)
Input timing measurement reference level
Output timing measurement reference level
Output load condition
Value
(V
DD
=2.5V, V
DDQ
=2.5V, T
A
= 0 to 70擄C)
Unit
V
V
V/ns
V/ns
V
V
V
Note
0.5 * V
DDQ
1.5
0.5
0.5
V
REF
+0.31/V
REF
-0.31
V
REF
V
tt
See Load Circuit
V
tt
=0.5*V
DDQ
R
T
=50鈩?/div>
Output
Z0=50鈩?/div>
C
LOAD
=30pF
V
REF
=0.5*V
DDQ
Output Load Circuit (SSTL_2)
Input/Output Capacitance
(VDD=2.5, VDDQ=2.5V, TA= 25擄C, f=1MHz)
Parameter
Input capacitance
(A0 ~ A12, BA0 ~ BA1, CKE, CS, RAS,CAS, WE)
Input capacitance( CK, CK )
Data & DQS input/output capacitance
Input capacitance(DM)
Symbol
CIN1
CIN2
COUT
CIN3
Min
1.5
1.5
3.5
3.5
Max
3.5
3.5
5.5
0.5
5.5
pF
Delta Cap(max)
0.5
0.25
Unit
pF
pF
pF
- 14 -
Rev. 2.2 Mar. 鈥?3

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