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K4F170411C-B Datasheet

  • K4F170411C-B

  • 4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode

  • 20頁(yè)

  • SAMSUNG   SAMSUNG

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K4F170411C, K4F160411C
K4F170412C, K4F160412C
AC CHARACTERISTICS
(Continued)
Parameter
Data set-up time
Data hold time
Refresh period (2K, Normal)
Refresh period (4K, Normal)
Refresh period (L-ver)
Write command set-up time
CAS to W delay time
RAS to W delay time
Column address to W delay time
CAS precharge to W delay time
CAS set-up time (CAS -before-RAS refresh)
CAS hold time (CAS -before-RAS refresh)
RAS to CAS precharge time
Access time from CAS precharge
Fast Page cycle time
Fast Page read-modify-write cycle time
CAS precharge time (Fast Page cycle)
RAS pulse width (Fast Page cycle)
RAS hold time from CAS precharge
OE access time
OE to data delay
Output buffer turn off delay time from OE
OE command hold time
Write command set-up time (Test mode in)
Write command hold time (Test mode in)
W to RAS precharge time(C-B-R refresh)
W to RAS hold time(C-B-R refresh)
RAS pulse width (C-B-R self refresh)
RAS precharge time (C-B-R self refresh)
CAS hold time (C-B-R self refresh)
Symbol
Min
-50
Max
Min
0
10
32
64
128
0
36
73
48
53
5
10
5
30
35
76
10
50
30
13
13
0
13
10
10
10
10
100
90
-50
13
15
0
15
10
10
10
10
100
110
-50
200K
40
85
10
60
35
0
40
85
55
60
5
10
5
-60
CMOS DRAM
Units
Max
ns
ns
32
64
128
ms
ms
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
35
ns
ns
ns
ns
200K
ns
ns
15
ns
ns
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
us
ns
ns
Note
9
9
t
DS
t
DH
t
REF
t
REF
t
REF
t
WCS
t
CWD
t
RWD
t
AWD
t
CPWD
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
CPA
t
PC
t
PRWC
t
CP
t
RASP
t
RHCP
t
OEA
t
OED
t
OEZ
t
OEH
t
WTS
t
WTH
t
WRP
t
WRH
t
RASS
t
RPS
t
CHS
0
10
7
7
7
7
3
6
11
11
13,14,15
13,14,15
13,14,15

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