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200GB60DLC Datasheet

  • 200GB60DLC

  • Technicshe Information

  • 8頁

  • EUPEC

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 200 GB 60 DLC
Transienter W盲rmewiderstand
Transient thermal impedance
Z
thJC
= f (t)
1
0,1
Z
thJC
[K / W]
0,01
Zth:IGBT
Zth:Diode
0,001
0,001
0,01
0,1
1
10
t [sec]
i
r
i
[K/kW]
蟿
i
[sec]
r
i
[K/kW]
蟿
i
[sec]
1
7,2
0,0018
102,2
0,0487
2
89,1
0,0240
98,0
0,0169
3
59,9
0,0651
61,6
0,1069
4
13,8
0,6626
28,2
0,9115
: IGBT
: IGBT
: Diode
: Diode
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
450
400
350
300
250
200
V
GE
= +15V, R
G,off
= 1,5鈩? T
vj
= 125擄C
鈩?
I
C
[A]
IC,Modul
150
100
50
0
0
100
200
300
400
500
600
700
IC,Chip
V
CE
[V]
7 (8)
BSM 200 GB 60 DLC
2000-02-08

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