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200GB60DLC Datasheet

  • 200GB60DLC

  • Technicshe Information

  • 8頁

  • EUPEC

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 200 GB 60 DLC
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
Innerer W盲rmewiderstand
thermal resistance, junction to case
脺bergangs-W盲rmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
H枚chstzul盲ssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Transistor / transistor, DC
Diode / diode, DC
pro Modul / per module
位
Paste
= 1W/m*K /
位
grease
= 1W/m*K
R
thJC
-
-
R
thCK
-
typ.
-
-
0,02
max.
0,17
0,29
-
K/W
K/W
K/W
T
vj
-
-
150
擄C
T
op
-40
-
125
擄C
T
stg
-40
-
125
擄C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Geh盲use, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Kriechstrecke
creepage insulation
Luftstrecke
clearance
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment f眉r mech. Befestigung
mounting torque
Schraube M6
screw M6
M1
-15
Al
2
O
3
15
mm
8,5
mm
275
5
+15
Nm
%
Gewicht
weight
G
180
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugeh枚rigen Technischen Erl盲uterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
3 (8)
BSM 200 GB 60 DLC
2000-02-08

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