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TZMB13 Datasheet

  • TZMB13

  • Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes

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TZMB...
Vishay Telefunken
Characteristics
(T
j
= 25
_
C unless otherwise specified)
600
P
tot
鈥?Total Power Dissipation ( mW )
500
400
300
200
100
0
0
95 9602
1.3
V
Ztn
鈥?Relative Voltage Change
V
Ztn
=V
Zt
/V
Z
(25擄C)
1.2
TK
VZ
=10
10
鈥?
/K
8
6
10
鈥?
/K
10
鈥?
/K
10
鈥?
/K
10
鈥?
/K
1.1
4
2
1.0
0.9
0.8
鈥?0
0
鈥? 10
鈥?
/K
鈥?
10
鈥?
/K
40
80
120
160
200
95 9599
0
60
120
180
240
T
amb
鈥?Ambient Temperature (
擄C
)
T
j
鈥?Junction Temperature (
擄C
)
Figure 1. Total Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
1000
鈥?Voltage Change ( mV )
Figure 3. Typical Change of Working Voltage vs.
Junction Temperature
TK
VZ
鈥?Temperature Coefficient of V
Z
( 10
鈥?
/K )
15
T
j
= 25擄C
100
10
5
I
Z
=5mA
0
I
Z
=5mA
10
D
V
Z
1
0
95 9598
鈥?
0
10
20
30
40
50
V
Z
鈥?Z-Voltage ( V )
5
10
15
20
25
V
Z
鈥?Z-Voltage ( V )
95 9600
Figure 2. Typical Change of Working Voltage
under Operating Conditions at T
amb
=25
擄
C
Figure 4. Temperature Coefficient of Vz vs. Z鈥揤oltage
200
C
D
鈥?Diode Capacitance ( pF )
150
V
R
= 2V
100
T
j
= 25擄C
50
0
0
95 9601
5
10
15
20
25
V
Z
鈥?Z-Voltage ( V )
Figure 5. Diode Capacitance vs. Z鈥揤oltage
Document Number 85610
Rev. 3, 01-Apr-99
www.vishay.de
鈥?/div>
FaxBack +1-408-970-5600
3 (6)

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