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K4H281638M-TCA0 Datasheet

  • K4H281638M-TCA0

  • 128Mb DDR SDRAM

  • 53頁

  • SAMSUNG   SAMSUNG

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128Mb DDR SDRAM
QFC timing on Write operation
QFC on writes is enabled as soon as possible after the clock edge of write command and disabled as soon
as possible after the last DQS-in low going edge.
0
CK
CK
Command
Write
1
2
3
4
5
6
7
8
BL = 2
DQS@tDQSSmax
DQ鈥?@tDQSSmax
S
QFC
Hi-Z
t
QCSW
Dout 0 Dout 1
t
QCHW max.
*1
t
QCHW min.
*2
Figure 27. : QFC timing on write operation with tDQSSmax
BL = 2
CK
CK
Command
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Write
DQS@tDQSSmin
DQ鈥?@tDQSSmin
S
QFC
Hi-Z
t
QCSW
Dout 0 Dout 1
*1
*2
t
QCHW min.
t
QCHW max.
Figure 28. : QFC timing on write operation with tDQSSmin
1. The value of tQCSW min. is 1.25ns from the last low going data strobe edge to QFC tri-state.
2. The value of tQCSW max. is 0.5tcK from the first high going clock edge after the last low going data strobe
edge to QFC tri-state.
- 52 -
REV. 1.0 November. 2. 2000

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