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K4H1G0638C-UC/LB0 Datasheet

  • K4H1G0638C-UC/LB0

  • Stacked 1Gb C-die DDR SDRAM Specification

  • 348.06KB

  • 23頁

  • SAMSUNG   SAMSUNG

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DDR SDRAM stacked 1Gb C-die (x4/x8)
DDR SDRAM
Specification
DDR400
TBD
TBD
TBD
TBD
DDR333
TBD
TBD
TBD
TBD
DDR200/266
1.2 V
1.2 V
2.4 V-ns
2.4 V-ns
18.0 Overshoot/Undershoot specification for Data, Strobe and Mask Pins
Parameter
Maximum peak amplitude allowed for overshoot
Maximum peak amplitude allowed for undershoot
The area between the overshoot signal and VDD must be less than or equal to
The area between the undershoot signal and GND must be less than or equal to
VDDQ
Overshoot
5
4
3
2
Volts (V)
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
0 0.5 1.0 1.42 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 5.68 6.0 6.5 7.0
Tims(ns)
undershoot
Maximum Amplitude = 1.2V
GND
Area = 2.4V-ns
Maximum Amplitude = 1.2V
DQ/DM/DQS AC overshoot/Undershoot Definition
Rev. 1.1 June. 2005

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