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PZT2222A Datasheet

  • PZT2222A

  • NPN Silicon Switching Transistors

  • 6頁

  • INFINEON   INFINEON

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PZT 2222
PZT 2222 A
Electrical Characteristics
at
T
A
= 25 藲C, unless otherwise specified.
Parameter
Symbol
min.
DC characteristics
Collector-emitter saturation voltage
1)
I
C
= 150 mA,
I
B
= 15 mA
PZT 2222
PZT 2222 A
I
C
= 500 mA,
I
B
= 50 mA
PZT 2222
PZT 2222 A
Base-emitter saturation voltage
1)
I
C
= 150 mA,
I
B
= 15 mA
I
C
= 500 mA,
I
B
= 50 mA
PZT 2222
PZT 2222 A
PZT 2222
PZT 2222 A
V
CEsat
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
V
BEsat
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
1.3
1.2
2.6
2.0
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
0.4
0.3
1.6
1.0
V
Values
typ.
max.
Unit
AC characteristics
Transition frequency
I
C
= 20 mA,
V
CE
= 20 V,
f
= 100 MHz
Collector-base capacitance
V
CB
= 10 V,
f
= 1 MHz
Input capacitance
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1 MHz
V
CC
= 30 V,
I
C
= 150 mA,
I
B1
= 15 mA
Delay time
Rise time
V
CC
= 30 V,
I
C
= 150 mA,
I
B1
=
I
B2
= 15 mA
Storage time
Fall time
(see diagrams)
f
T
C
obo
C
ibo
200
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
8
30
MHz
pF
t
d
t
r
t
stg
t
f
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
10
25
225
60
ns
ns
ns
ns
1)
Pulse test conditions:
t
鈮?/div>
300
碌
s,
D
= 2 %.
Semiconductor Group
3

PZT2222A 產(chǎn)品屬性

  • 4,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 晶體管(BJT) - 單路

  • -

  • NPN

  • 1A

  • 40V

  • 1V @ 50mA，500mA

  • -

  • 100 @ 150mA，10V

  • 1W

  • 300MHz

  • 表面貼裝

  • TO-261-4，TO-261AA

  • SOT-223-3

  • 帶卷 (TR)

  • PZT2222ATR

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