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K4F171612D Datasheet

  • K4F171612D

  • 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode

  • 34頁

  • SAMSUNG   SAMSUNG

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K4F171611D, K4F151611D
K4F171612D, K4F151612D
AC CHARACTERISTICS
(Continued)
Parameter
Data set-up time
Data hold time
Refresh period (1K, Normal)
Refresh period (4K, Normal)
Refresh period (L-ver)
Write command set-up time
CAS to W delay time
RAS to W delay time
Column address to W delay time
CAS precharge to W delay time
CAS set-up time (CAS-before-RAS refresh)
CAS hold time (CAS-before-RAS refresh)
RAS to CAS precharge time
Access time from CAS precharge
Fast Page mode cycle time
Fast Page read-modify-write cycle time
CAS precharge time (Fast Page cycle)
RAS pulse width (Fast Page cycle)
RAS hold time from CAS precharge
OE access time
OE to data delay
Output buffer turn off delay time from OE
OE command hold time
RAS pulse width (C-B-R self refresh)
RAS precharge time (C-B-R self refresh)
CAS hold time (C-B-R self refresh)
Symbol
Min
-50
Max
Min
0
10
16
64
128
0
36
73
48
53
5
10
5
30
35
76
10
50
30
13
13
0
13
100
90
-50
13
15
0
15
100
110
-50
200K
40
80
10
60
35
0
40
85
55
60
5
10
5
-60
CMOS DRAM
Units
Max
ns
ns
16
64
128
ms
ms
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
35
ns
ns
ns
ns
200K
ns
ns
15
ns
ns
15
ns
ns
us
ns
ns
Notes
9,17
9,17
t
DS
t
DH
t
REF
t
REF
t
REF
t
WCS
t
CWD
t
RWD
t
AWD
t
CPWD
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
CPA
t
PC
t
PRWC
t
CP
t
RASP
t
RHCP
t
OEA
t
OED
t
OEZ
t
OEH
t
RASS
t
RPS
t
CHS
0
10
7
7,13
7
7
7
15
16
3
12
3
18,19,20
18,19,20
18,19,20

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