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K4H280838F-TC/LB3 Datasheet

  • K4H280838F-TC/LB3

  • 128Mb F-die DDR SDRAM Specification

  • 207.55KB

  • 23頁

  • SAMSUNG   SAMSUNG

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DDR SDRAM 128Mb F-die (x4, x8)
Pin Description
DDR SDRAM
16Mx8
32Mx4
V
DD
DQ
0
V
DDQ
NC
DQ
1
V
SSQ
NC
DQ
2
V
DDQ
NC
DQ
3
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SSQ
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V
SS
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V
SSQ
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NC
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CK
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11
A
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8
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7
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5
A
4
V
SS
66Pin TSOPII
(400mil x 875mil)
(0.65mm Pin Pitch)
Bank Address
BA0~BA1
Auto Precharge
A10
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
128Mb Package Pinout
Organization
32Mx4
16Mx8
Row Address
A0~A11
A0~A11
Column Address
A0-A9, A11
A0-A9
DM is internally loaded to match DQ and DQS identically.
Row & Column address configuration
Rev. 1.1 May. 2004

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