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K4H510638E-TC/LA2 Datasheet

  • K4H510638E-TC/LA2

  • Stacked 512Mb E-die DDR SDRAM Specification (x4/x8)

  • 22頁

  • SAMSUNG   SAMSUNG

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DDR SDRAM stacked 512Mb E-die (x4/x8)
DDR SDRAM
90
80
70
60
Maximum
Typical High
Typical Low
Minimum
Iout(mA)
50
40
30
20
10
0
0.0
1.0
2.0
Iout(mA)
Pullup Characteristics for Weak Output Driver
Vout(V)
0.0
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
1.0
2.0
Iout(mA)
Minumum
Typical Low
Typical High
Maximum
Pulldown Characteristics for Weak Output Driver
Vout(V)
Figure 4. I/V characteristics for input/output buffers:Pull up(above) and pull down(below)
Rev. 1.0 July. 2003

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