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200GB120DN2 Datasheet

  • 200GB120DN2

  • IGBT Module

  • 160.72KB

  • 10頁

  • ETC

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BSM 200 GB 120 DN2
Forward characteristics of fast recovery
reverse diode
I
F
= f(V
F
)
parameter:
T
j
400
Transient thermal impedance
Z
th JC
=
茠(t
p
)
parameter:
D = t
p
/
T
10
0
Diode
A
I
F
Z
thJC
K/W
300
10
-1
250
T
j
=125擄C
200
T
j
=25擄C
10
-2
D = 0.50
0.20
150
10
-3
single pulse
50
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
V
F
3.0
10
-4
-5
10
0.10
0.05
0.02
0.01
100
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
t
p
8
Oct-21-1997

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