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200GB120DN2 Datasheet

  • 200GB120DN2

  • IGBT Module

  • 160.72KB

  • 10頁(yè)

  • ETC

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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BSM 200 GB 120 DN2
Typ. switching time
I = f (I
C
) ,
inductive load , T
j
= 125擄C
par.:
V
CE
= 600 V,
V
GE
= 鹵 15 V,
R
G
= 4.7
鈩?/div>
10
4
Typ. switching time
t = f (R
G
) ,
inductive load , T
j
= 125擄C
par.:
V
CE
= 600 V,
V
GE
= 鹵 15 V,
I
C
= 200 A
10
4
ns
t
10
3
tdoff
t
ns
tdoff
10
3
tdon
tr
2
10
tdon
tr
tf
10
2
tf
10
1
0
100
200
300
A
I
C
500
10
1
0
10
20
30
40
鈩?/div>
60
R
G
Typ. switching losses
E = f (I
C
) ,
inductive load , T
j
= 125擄C
par.:
V
CE
= 600 V,
V
GE
= 鹵 15 V,
R
G
= 4.7
鈩?/div>
100
mWs
E
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
Eoff
Eon
Typ. switching losses
E = f (R
G
) ,
inductive load
,
T
j
= 125擄C
par.:
V
CE
= 600V,
V
GE
= 鹵 15 V,
I
C
= 200 A
100
Eon
mWs
E
80
70
60
50
Eoff
40
30
20
10
0
0
100
200
300
A
I
C
500
10
20
30
40
鈩?/div>
60
R
G
7
Oct-21-1997

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