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200GB120DN2 Datasheet

  • 200GB120DN2

  • IGBT Module

  • 10頁(yè)

  • ETC

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BSM 200 GB 120 DN2
Power dissipation
P
tot
=
茠(T
C
)
parameter:
T
j
鈮?/div>
150 擄C
1500
W
1300
P
tot
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
20
40
60
80
100
120
擄C
160
Safe operating area
I
C
=
茠(V
CE
)
parameter:
D
= 0,
T
C
= 25擄C ,
T
j
鈮?/div>
150 擄C
10
3
t
= 49.0碌s
p
A
I
C
10
2
100 碌s
1 ms
10
1
10 ms
10
0
0
10
10
1
10
2
DC
3
10
V
T
C
V
CE
Collector current
I
C
=
茠(T
C
)
parameter:
V
GE
鈮?/div>
15 V ,
T
j
鈮?/div>
150 擄C
300
A
260
I
C
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
Transient thermal impedance
Z
th JC
=
茠(t
p
)
parameter:
D = t
p
/
T
10
0
K/W
10
-1
IGBT
Z
thJC
10
-2
D = 0.50
10
-3
0.20
0.10
0.05
10
-4
0.02
single pulse
0.01
20
40
60
80
100
120
擄C
160
10
-5
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
T
C
t
p
4
Oct-21-1997

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