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M12L2561616A Datasheet

  • M12L2561616A

  • 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM

  • 44頁(yè)

  • ESMT

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ESMT
BURST SEQUENCE (BURST LENGTH = 4)
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M12L2561616A
Interleave
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Initial
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0
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Sequential
Interleave
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: Aug. 2007
Revision: 1.2
9/44

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