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M12S64322A-6BG Datasheet

  • M12S64322A-6BG

  • 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM

  • 46頁

  • ESMT

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ESMT
Active/Precharge Power Down Mode @ CAS Latency = 2, Burst Length = 4
0
CLOCK
*Note2
M12S64322A
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
t
SS
*Note1
t
SS
*Note3
t
SS
CKE
CS
RAS
CAS
ADDR
Ra
Ca
BA1
BA0
A10 /AP
Ra
t
SHZ
DQ
Q a0
Qa1
Qa2
WE
DQM
Pr ech ar ge
Pow er - D own
Entry
Row Active
Pr ech arge
Power - Down
Exi t
Active
Power - dow n
Entry
Read
Precharge
Active
Power - down
Exi t
: Don't care
*Note:
1. Both banks should be in idle state prior to entering precharge power down mode.
2. CKE should be set high at least 1CLK + t
SS
prior to Row active command.
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: May. 2007
Revision: 1.0
41/46

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