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M12S64322A-6BG Datasheet

  • M12S64322A-6BG

  • 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM

  • 725.62KB

  • 46頁

  • ESMT

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ESMT
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15
M12S64322A
Read interrupted by Precharge Command & Read Burst Stop Cycle @ Burst Length = Full page
16
17
18
19
CLOCK
HIGH
CKE
CS
RAS
CAS
ADDR
RAa
CAa
CAb
BA1
BA0
*Note1
*Note 1
A10 /AP
RAa
*Note2
1
1
QAb0 QAb1 QAb2 QAb3 QAb4 QAb5
CL=2
DQ
QAa0 QAa1 QAa2 QAa3 QAa4
2
CL= 3
QAa0 QAa1 QAa2 QAa3 QAa4
2
QAb0 QAb1 QAb2 QAb3 QAb4 QAb5
WE
DQM
Row Active
( A- B an k )
Read
(A- Ban k)
Burst Stop
Read
(A- Ban k)
Precharge
( A- Ban k )
:Don't Care
*Note : 1. About the valid DQs after burst stop, it is same as the case of RAS interrupt.
Both cases are illustrated above timing diagram. See the lable 1,2 on them.
But at burst write, Burst stop and RAS interrupt should be compared carefully.
Refer the timing diagram of 鈥淔ull page write burst stop cycles鈥?
2. Burst stop is valid at every burst length.
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: May. 2007
Revision: 1.0
39/46

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