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M12S16161A-7TG Datasheet

  • M12S16161A-7TG

  • 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM

  • 614.01KB

  • 29頁(yè)

  • ESMT

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ESMT
M12S16161A
Single Bit Read-Write-Read Cycle (Same Page) @CAS Latency=3, Burst Length=1
t
CH
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SH
Qc
Row Active
Read
W rite
Read
Precharge
Row Active
:D on' t Care
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date
:
May. 2007
Revision
:
1.1
11/29

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