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CEP1012L_07 Datasheet

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CEP1012L/CEB1012L
6
5
4
3
2
1
0
V
GS
=10,8,6,4V
20
I
D
, Drain Current (A)
I
D
, Drain Current (A)
V
GS
=3V
25 C
15
10
T
J
=125 C
-55 C
5
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
Figure 1. Output Characteristics
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
Crss
0
5
10
15
20
Coss
25
Ciss
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.2
-100
V
GS
, Gate-to-Source Voltage (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
I
D
=10A
V
GS
=5V
R
DS(ON),
Normalized
R
DS(ON)
, On-Resistance(Ohms)
C, Capacitance (pF)
-50
0
50
100
150
200
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
Figure 3. Capacitance
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
V
DS
=V
GS
T
J
, Junction Temperature( C)
Figure 4. On-Resistance Variation
with Temperature
I
S
, Source-drain current (A)
V
GS
=0V
10
1
V
TH
, Normalized
Gate-Source Threshold Voltage
I
D
=250碌A(chǔ)
10
0
-25
0
25
50
75
100
125
150
10
-1
0.4
0.6
1.8
1.0
1.2
1.4
T
J
, Junction Temperature( C)
Figure 5. Gate Threshold Variation
with Temperature
V
SD
, Body Diode Forward Voltage (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
3

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