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BZX84J-C51 Datasheet

  • BZX84J-C51

  • Philips Semiconductors [Single Zener diodes]

  • PHILIPS

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NXP Semiconductors
BZX84J series
Single Zener diodes
Table 8.
Characteristics per type; BZX84J-B2V4 to BZX84J-C24
鈥ontinued
T
j
= 25
擄
C unless otherwise speci鏗乪d.
BZX84J Sel
-xxx
Working
voltage
V
Z
(V)
I
Z
= 5 mA
Min
13
15
16
18
20
22
24
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
B
C
[1]
[2]
Differential
resistance
r
dif
(鈩?
I
Z
= 1 mA I
Z
= 5 mA
Max
170
200
200
225
225
250
250
Max
10
15
20
20
20
25
30
Reverse
current
I
R
(碌A(chǔ))
Temperature
coef鏗乧ient
S
Z
(mV/K)
I
Z
= 5 mA
Diode
Non-repetitive
capacitance peak reverse
current
C (pF)
[1]
d
I
ZSM
(A)
[2]
Max
13.3
14.1
15.3
15.6
16.3
17.1
18.4
19.1
20.4
21.2
22.4
23.3
24.5
25.6
0.05
16.8
18.4
22
80
1.25
0.05
15.4
16.4
20
84
1.25
0.05
14
14.4
18
88
1.5
0.05
12.6
12.4
16
93
1.5
0.05
11.2
10.4
14
97
1.5
0.05
10.5
9.2
13
99
2
Max
0.1
V
R
(V) Min
8
7
Max
11
Max
103
Max
2.5
12.7
12.4
14.7
13.8
15.7
15.3
17.6
16.8
19.6
18.8
21.6
20.8
23.5
22.8
f = 1 MHz; V
R
= 0 V
t
p
= 100
碌s;
square wave; T
j
= 25
擄C
prior to surge
BZX84J_SER_1
漏 NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 鈥?1 March 2007
5 of 12

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