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2SK3070L Datasheet

  • 2SK3070L

  • Hitachi Semiconductor [Silicon N Channel MOS FET High Speed...

  • 57.00KB

  • HITACHI

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Datasheet Title
Main Characteristics
Power vs. Temperature Derating
200
Pch (W)
1000
I
D
(A)
300
100
30
10
3
1
0.3
0
50
100
Case Temperature
150
200
Tc (擄C)
0.1 Ta = 25擄C
3
30
0.1 0.3
1
10
100
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
PW
=
10
Maximum Safe Operation Area
150
碌
0
碌
s
s
1
m
s
10
10
Channel Dissipation
100
Drain Current
DC
50
Operation in
this area is
limited by R
DS(on)
m
s
Op
(1
s
e
(T rati
hot)
c = on
25
擄
C
)
Typical Output Characteristics
100
4V
3.5 V
I
D
(A)
5V
60
Drain Current
V
GS
= 10 V
Pulse Test
(A)
80
80
100
Typical Transfer Characteristics
V
DS
= 10 V
Pulse Test
I
D
3V
Drain Current
60
40
40
75擄C
25擄C
Tc = 鈥?5擄C
20
2.5 V
0
2
4
6
Drain to Source Voltage
8
V
DS
(V)
10
20
0
1
2
3
Gate to Source Voltage
4
V
GS
(V)
5
4

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