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2SK2643-01 Datasheet

  • 2SK2643-01

  • Fuji Electric [N-channel MOS-FET]

  • FUJI

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N-channel MOS-FET
500V
0,55鈩?/div>
2SK2643-01
FAP-IIS Series
Drain-Source On-State Resistance vs. T
ch
R
DS(on)
= f(T
ch
); I
D
=7,5A; V
GS
=10V
15A
125W
> Characteristics
Typical Output Characteristics
I
D
=f(V
DS
); 80碌s pulse test; T
C
=25擄C
Typical Transfer Characteristics
I
D
=f(V
GS
); 80碌s pulse test; V
DS
=25V; T
ch
=25擄C
鈫?/div>
I
D
[A]
鈫?/div>
R
DS(ON)
[鈩
鈫?/div>
2
I
D
[A]
1
3
V
DS
[V]
鈫?/div>
T
ch
[擄C]
鈫?/div>
V
GS
[V]
鈫?/div>
Typical Drain-Source On-State-Resistance vs. I
D
R
DS(on)
=f(I
D
); 80碌s pulse test; T
C
=25擄C
Typical Forward Transconductance vs. I
D
g
fs
=f(I
D
); 80碌s pulse test; V
DS
=25V; T
ch
=25擄C
Gate Threshold Voltage vs. T
ch
V
GS(th)
=f(T
ch
); I
D
=1mA; V
DS
=V
GS
鈫?/div>
R
DS(ON)
[鈩
鈫?/div>
g
fs
[S]
鈫?/div>
5
V
GS(th)
[V]
4
6
I
D
[A]
鈫?/div>
I
D
[A]
鈫?/div>
T
ch
[擄C]
鈫?/div>
Typical Capacitances vs. V
DS
C=f(V
DS
); V
GS
=0V; f=1MHz
Typical Gate Charge Characteristic
V
GS
=f(Qg); I
D
=15A; Tc=25擄C
Forward Characteristics of Reverse Diode
I
F
=f(V
SD
); 80碌s pulse test; V
GS
=0V
鈫?/div>
C [F]
鈫?/div>
V
DS
[V]
鈫?/div>
V
GS
[V]
鈫?/div>
I
F
[A]
7
8
9
V
DS
[V]
鈫?/div>
Qg [nC]
鈫?/div>
V
SD
[V]
鈫?/div>
Avalanche Energy Derating
E
as
=f(starting T
ch
); V
CC
=50V; I
AV
=15A
Safe Operation Area
I
D
=f(V
DS
): D=0,01, Tc=25擄C
鈫?/div>
Z
th(ch-c)
[K/W]
Transient Thermal impedance
Z
thch
=f(t) parameter:D=t/T
鈫?/div>
Eas [mJ]
10
鈫?/div>
I
D
[A]
12
Starting T
ch
[擄C]
鈫?/div>
V
DS
[V]
鈫?/div>
t [s]
鈫?/div>
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  • 型號
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    廠商
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    Sanyo
  • 英文版
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    hitachi
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    HITACHI [H...
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