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APTDF400KK170G Datasheet

  • APTDF400KK170G

  • Dual Common Cathode diodes Power Module

  • 210.00KB

  • MICROSEMI

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APTDF400KK170G
All ratings @ T
j
= 25擄C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
V
F
I
RM
Diode Forward Voltage
Maximum Reverse Leakage Current
Test Conditions
I
F
= 400A
V
R
= 1700V
T
j
= 25擄C
T
j
= 125擄C
T
j
= 25擄C
T
j
= 125擄C
Min
T
j
= 25擄C
I
F
= 400A
V
R
= 900V
di/dt = 4000A/碌s
Min
Typ
2.2
2.1
Max
2.5
750
1000
Unit
V
碌A(chǔ)
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
Test Conditions
T
j
= 125擄C
T
j
= 25擄C
T
j
= 125擄C
T
j
= 25擄C
T
j
= 125擄C
Typ
572
704
80
140
280
400
Max
Unit
ns
碌C
A
Thermal and package characteristics
Symbol
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
STG
T
C
Torque
Wt
Characteristic
Junction to Case Thermal Resistance
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
Min
3500
-40
-40
-40
3
2
Typ
Max
0.095
150
125
100
5
3.5
280
Unit
擄C/W
V
擄C
N.m
g
Operating junction temperature range
Storage Temperature Range
Operating Case Temperature
Mounting torque
Package Weight
To heatsink
For terminals
M6
M5
SP6 Package outline
(dimensions in mm)
www.microsemi.com
2-3
APTDF400KK170G 鈥?Rev 1 June, 2006

APTDF400KK170G 產(chǎn)品屬性

  • 1

  • 半導(dǎo)體模塊

  • 二極管，整流器

  • -

  • 2.5V @ 400A

  • 750µA @ 1700V

  • 480A

  • 1700V（1.7kV）

  • 572ns

  • 標(biāo)準(zhǔn)

  • 標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）

  • 1 對(duì)共陰極

  • 底座安裝

  • LP4

  • SP6

  • 散裝

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