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2SK2908-01L Datasheet

  • 2SK2908-01L

  • N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

  • 336.00KB

  • 4頁

  • FUJI

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N-channel MOS-FET
600V
2SK2908-01L,S
FAP-IIIB Series
Drain-Source On-State Resistance vs. T
ch
R
DS(on)
= f(T
ch
); I
D
=4,5A; V
GS
=10V
1,2鈩?/div>
鹵9A
60W
> Characteristics
Typical Output Characteristics
I
D
=f(V
DS
); 80碌s pulse test; T
C
=25擄C
Typical Transfer Characteristics
I
D
=f(V
GS
); 80碌s pulse test; V
DS
=25V; T
ch
=25擄C
鈫?/div>
I
D
[A]
鈫?/div>
1
R
DS(ON)
[m
鈩?/div>
]
鈫?/div>
2
I
D
[A]
3
V
DS
[V]
鈫?/div>
T
ch
[擄C]
鈫?/div>
V
GS
[V]
鈫?/div>
Typical Drain-Source On-State-Resistance vs. I
D
R
DS(on)
=f(I
D
); 80碌s pulse test; T
C
=25擄C
Typical Forward Transconductance vs. I
D
g
fs
=f(I
D
); 80碌s pulse test; V
DS
=25V; T
ch
=25擄C
Gate Threshold Voltage vs. T
ch
V
GS(th)
=f(T
ch
); I
D
=1mA; V
DS
=V
GS
鈫?/div>
R
DS(ON)
[m
鈩?/div>
]
鈫?/div>
g
fs
[S]
鈫?/div>
5
V
GS(th)
[V]
4
6
I
D
[A]
鈫?/div>
I
D
[A]
鈫?/div>
T
ch
[擄C]
鈫?/div>
Typical Capacitances vs. V
DS
C=f(V
DS
); V
GS
=0V; f=1MHz
Typical Gate Charge Characteristic
V
GS
=f(Qg); I
D
=9A; T
C
=25擄C
Forward Characteristics of Reverse Diode
I
F
=f(V
SD
); 80碌s pulse test;VGS=0V
鈫?/div>
C [F]
鈫?/div>
V
DS
[V]
鈫?/div>
V
GS
[V]
鈫?/div>
I
F
[A]
7
8
9
V
DS
[V]
鈫?/div>
Qg [nC]
鈫?/div>
V
SD
[V]
鈫?/div>
Maximum Avalanche Energy vs. starting T
ch
Eas=f(starting T
ch
): V
CC
=60V; I
AV
鈮?A
Safe Operation Area
I
D
=f(V
DS
): D=0,01, Tc=25擄C
Transient Thermal impedance
鈫?/div>
E
AV
[mJ]
10
鈫?/div>
I
D
[A]
12
鈫?/div>
Z
th(ch-c)
[K/W]
Z
thch
=f(t) parameter:D=t/T
starting T
ch
[擄C]
鈫?/div>
V
DS
[V]
鈫?/div>
t [s]
鈫?/div>
This specification is subject to change without notice!

2SK2908-01L PDF文件相關(guān)型號

2SK3362-01

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  • 型號
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    描述
    廠商
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    TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 18V V(BR)DSS | 600NA I(DSS)
    ETC
  • 英文版
    GENERAL PURPOSE AND IMPEDANCE CONVERTER AND CONDENSER MICROP...
    Toshiba
  • 英文版
    AUDIO FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
  • 英文版
    FM TUNER APPLICATIONS VHF BAND AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
  • 英文版
    FM TUNER APPLICATIONS VHF BAND AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
  • 英文版
    N-Channel Junction Silicon FET
    Sanyo
  • 英文版
    Silicon NPN Triple Diffused
    hitachi
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon NPN Triple Diffused
    hitachi
  • 英文版
    N-Channel Junction Silicon FET
    Sanyo
  • 英文版
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    Sanyo
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    SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET
    HITACHI
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    HITACHI [H...
  • 英文版
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    HITACHI
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