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PDTC114ES Datasheet

  • PDTC114ES

  • NPN resistor-equipped transistor

  • Philips

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Philips Semiconductors
Product speci鏗乧ation
NPN resistor-equipped transistor
PDTC114ES
handbook, halfpage
10
3
MGM898
handbook, halfpage
1
MGM897
hFE
(2)
(1)
VCEsat
(V)
10
2
(3)
10
鈭?
(1)
(2)
(3)
10
1
10
鈭?
1
10
IC (mA)
10
2
10
鈭?
1
10
IC (mA)
10
2
V
CE
= 5 V.
(1) T
amb
= 150
擄C.
(2) T
amb
= 25
擄C.
(3) T
amb
=
鈭?0 擄C.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 100
擄C.
(2) T
amb
= 25
擄C.
(3) T
amb
=
鈭?0 擄C.
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
handbook, halfpage
10
MGM900
10
2
handbook, halfpage
Vi(on)
MGM899
Vi(off)
(V)
(V)
10
(1)
(2)
(3)
(1) (2) (3)
1
1
10
鈭?
10
鈭?
10
鈭?
1
IC (mA)
10
10
鈭?
10
鈭?
1
10
IC (mA)
10
2
V
CE
= 5 V.
(1) T
amb
=
鈭?0 擄C.
(2) T
amb
= 25
擄C.
(3) T
amb
= 100
擄C.
V
CE
= 0.3 V.
(1) T
amb
=
鈭?0 擄C.
(2) T
amb
= 25
擄C.
(3) T
amb
= 100
擄C.
Fig.5
Input-off voltage as a function of collector
current; typical values.
Fig.6
Input-on voltage as a function of collector
current; typical values.
1998 Nov 26
4

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