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2sk3082 Datasheet

  • 2sk3082

  • Silicon NPN Triple Diffused

  • hitachi

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2SK3082(L),2SK3082(S)
Body鈥揇rain Diode Reverse
Recovery Time
1000
Capacitance C (pF)
500
Reverse Recovery Time trr (ns)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
200
100
50
20
10
di / dt = 50 A / 碌s
V
GS
= 0, Ta = 25 擄C
500
Ciss
200
Coss
100
50
20
10
Crss
V
GS
= 0
f = 1 MHz
0
10
20
30
40
50
5
0.1 0.2
0.5 1
2
Reverse Drain Current
5 10 20
I
DR
(A)
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
Dynamic Input Characteristics
V
DS
(V)
V
GS
(V)
100
I
D
= 10A
V
DD
= 10 V
25 V
50 V
V
DS
V
GS
20
1000
300
Switching Time t (ns)
Switching Characteristics
80
16
Drain to Source Voltage
60
12
Gate to Source Voltage
100
30
10
3
1
0.1
t d(off)
tf
t d(on)
tr
40
8
20
V
DD
= 50 V
25 V
10 V
4
8
12
16
Gate Charge Qg (nc)
4
0
20
V
GS
= 10 V, V
DD
= 30 V
PW = 5 碌s, duty < 1 %
0.2
0.5 1
5 10 20
2
Drain Current I
D
(A)
0
5

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