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2sk2912 Datasheet

  • 2sk2912

  • Silicon NPN Triple Diffused

  • hitachi

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2SK2912(L), 2SK2912(S)
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
1000
Reverse Recovery Time trr (ns)
500
200
100
50
20
10
0.1
di / dt = 50 A /
碌s
V
GS
= 0, Ta = 25
擄C
0.3
1
3
10
30
100
Reverse Drain Current I
DR
(A)
5000
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
V
GS
= 0
f = 1 MHz
Capacitance C (pF)
2000
1000
500
Ciss
Coss
200
100
50
Crss
0
10
20
30
40
50
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
Dynamic Input Characteristics
V
DS
(V)
V
GS
(V)
100
I
D
= 40 A
V
DD
= 10 V
25 V
50 V
V
DS
20
1000
300
100
30
10
3
1
0.1
Switching Characteristics
Switching Time t (ns)
80
16
t d(off)
tf
tr
t d(on)
Drain to Source Voltage
60
V
GS
12
40
8
20
V
DD
= 50 V
25 V
10 V
8
16
24
32
Gate Charge Qg (nc)
4
0
40
Gate to Source Voltage
V
GS
= 10 V, V
DD
= 30 V
PW = 5
碌s,
duty < 1 %
0.3
1
3
Drain Current
10
30
I
D
(A)
100
0
6

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