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2sk2728 Datasheet

  • 2sk2728

  • Silicon NPN Triple Diffused

  • 67.70KB

  • hitachi

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2SK2728
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
25
Reverse Drain Current I
DR
(A)
Repetive Avalanche Energy E
AR
(mJ)
25
I
AP
= 18 A
V
DD
= 50 V
duty < 0.1 %
Rg > 50
鈩?/div>
Maximun Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
20
5, 10 V
15
V
GS
= 0 V
20
15
10
10
5
Pulse Test
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage
V
SD
(V)
5
0
25
50
75
100
125
150
Channel Temperature Tch (擄C)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
Normalized Transient Thermal Impedance
緯
s (t)
Tc = 25擄C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
胃
ch 鈥?c(t) =
緯
s (t) 鈥?/div>
胃
ch 鈥?c
胃
ch 鈥?c = 0.83
擄C/W,
Tc = 25
擄C
PDM
PW
T
0.03
0.02
1
lse
0.0
t pu
ho
1s
D=
PW
T
0.01
10
碌
100
碌
1m
10 m
Pulse Width
100 m
PW (S)
1
10
7

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    ETC
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    AUDIO FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
  • 英文版
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    Toshiba
  • 英文版
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    Sanyo
  • 英文版
    Silicon NPN Triple Diffused
    hitachi
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
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    hitachi
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    Sanyo
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    Sanyo
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    SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET
    HITACHI
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