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2sd1606 Datasheet

  • 2sd1606

  • Silicon NPN Triple Diffused

  • hitachi

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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2SD1606
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25擄C)
Item
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current
Collector peak current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
C to E diode forward current
Note:
1. Value at T
C
= 25擄C.
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
P
C
*
1
Tj
Tstg
I
D
*
1
Ratings
120
120
7
6
12
40
150
鈥?5 to +150
6
Unit
V
V
V
A
A
W
擄C
擄C
A
Electrical Characteristics
(Ta = 25擄C)
Item
Symbol
Min
120
7
鈥?/div>
鈥?/div>
1000
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Typ
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
0.6
7.0
2.0
Max
鈥?/div>
鈥?/div>
100
10
20000
1.5
3.0
2.0
3.5
3.0
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
V
V
V
V
V
碌s
碌s
碌s
Unit
V
V
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
Test conditions
I
C
= 25 mA, R
BE
=
鈭?/div>
I
E
= 50 mA, I
C
= 0
V
CB
= 120 V, I
E
= 0
V
CE
= 100 V, R
BE
=
鈭?/div>
V
CE
= 3 V, I
C
= 3 A*
1
I
C
= 3 A, I
B
= 6 mA*
1
I
C
= 6 A, I
B
= 60 mA*
1
I
C
= 3 A, I
B
= 6 mA*
1
I
C
= 6 A, I
B
= 60 mA*
1
I
D
= 6 A*
1
I
C
= 3 A, I
B1
= 鈥揑
B2
= 6 mA
Collector to emitter breakdown V
(BR)CEO
voltage
Emitter to base breakdown
voltage
Collector cutoff current
V
(BR)EBO
I
CBO
I
CEO
DC current transfer ratio
Collector to emitter saturation
voltage
Base to emitter saturation
voltage
C to E diode forward voltage
Turn on time
Storage time
Fall time
Note:
1. Pulse test.
h
FE
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
V
D
t
on
t
stg
t
f
2

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    isc Silicon NPN Power Transistor
    ISC [Incha...
  • 英文版
    SILICON NPN DEFFUSED JUNCTION TRANSISTOR
    ETC
  • 英文版
    SILICON NPN DEFFUSED JUNCTION TRANSISTOR
    ETC [ETC]
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3
    ETC
  • 英文版
    ETC [2SD186]
    ETC
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    SAVANTIC [Savan...
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    ISC [Incha...
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
    NEC
  • 英文版
    NPN Silicon Epitaxial Transistor
    KEXIN [Gua...
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
    NEC [NEC]
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
    NEC
  • 英文版
    NPN Silicon Epitaxial Transistor
    KEXIN [Gua...
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
    NEC [NEC]
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
    NEC
  • 英文版
    Small Flat Package High Breakdown Voltage Excellent DC Cur...
    金譽
  • 英文版
    NPN Silicon Epitaxia
    KEXIN [Gua...
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
    NEC [NEC]
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
    NEC
  • 英文版
    NPN Silicon Epitaxial Transistor
    KEXIN [Gua...
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
    NEC [NEC]

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