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IRFR214 Datasheet

  • IRFR214

  • 2.2A, 250V, 2.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

  • Intersil   Intersil

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IRFR214, IRFU214
Typical Performance Curves
2.5
NORMALIZED DRAIN TO SOURCE
PULSE DURATION = 80碌s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
GS
= 10V, I
D
= 5.6A
C, CAPACITANCE (pF)
Unless Otherwise Speci鏗乪d
(Continued)
500
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
= C
DS
+ C
GS
C
ISS
2.0
ON RESISTANCE
400
1.5
300
1.0
200
C
OSS
100
C
RSS
0.5
0
-60 -40
-20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
10
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
10
1
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
2
FIGURE 8. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE ON
RESISTANCE vs JUNCTION TEMPERATURE
10
1
I
SD
, SOURCE TO DRAIN CURRENT (A)
FIGURE 9. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
20
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
PULSE DURATION = 80碌s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
GS
= 10V
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
I
D
= 2.7A
16
V
DS
= 200V
V
DS
= 125V
V
DS
= 50V
12
10
0
8
4
10
-1
0.6
0
0.8
1.0
1.2
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
1.4
0
2
4
6
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
8
10
FIGURE 10. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 11. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Test Circuits and Waveforms
V
DS
BV
DSS
L
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
V
GS
DUT
t
P
R
G
-
I
AS
V
DD
t
P
V
DS
V
DD
+
0V
I
AS
0.01鈩?/div>
0
t
AV
FIGURE 12. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 13. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
4-387

IRFR214 PDF文件相關(guān)型號(hào)

IRFU214

IRFR214 產(chǎn)品屬性

  • IRFR214, IRFU214

  • 3,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 250V

  • 2.2A

  • 2 歐姆 @ 1.3A，10V

  • 4V @ 250µA

  • 8.2nC @ 10V

  • 140pF @ 25V

  • 2.5W

  • 表面貼裝

  • TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

  • D-Pak

  • 管件

  • *IRFR214

IRFR214相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.21ohm, Id=9.4A)
    IRF [Internatio...
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF [Inter...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG
  • 英文版
    HEXFET? Power MOSFET
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 6.7A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 15A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    HEXFETR Power MOSFET
    IRF
  • 英文版
    HEXFETR Power MOSFET
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF
  • 英文版
    HEXFET? Power MOSFET
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 14A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 23A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET? Power MOSFET
  • 英文版
    HEXFET? Power MOSFETs

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