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2SK2159 Datasheet

  • 2SK2159

  • MOS Field Effect Transistor

  • 62.34KB

  • NEC   NEC

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2SK2159
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. DRAIN CURRENT
1.4 V
GS
= 2.5 V
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
0.01
T
A
= 75
擄C
25
擄C
鈥?5
擄C
0.1
1
10
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. DRAIN CURRENT
1.4 V
GS
= 4.0 V
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
0.01
T
A
= 75
擄C
25
擄C
鈥?5
擄C
0.1
1
10
R
DS(on)
- Drain to Source On-State Resistance -
鈩?/div>
I
D
- Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. GATE TO SOURCE VOLTAGE
1
C
iss
, C
oss
, C
rss
- Capacitance - pF
0.8
1 000
500
R
DS(on)
- Drain to Source On-State Resistance -
鈩?/div>
I
D
- Drain Current - A
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
R
DS(on)
- Drain to Source On-State Resistance -
鈩?/div>
C
iss
200
100
50
C
oss
0.6
0.4
I
D
= 2 A
0.2
I
D
= 1 A
0
2
4
6
8
10
12
14
20
V
GS
= 0
f = 1 MHz
10
1
2
C
rss
5
10
20
50
100
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
10
I
SD
- Source to Drain Current - A
SWITCHING CHARACTERISTICS
1 000
t
d(on)
, t
r
, t
d(off)
, t
f
- Switching Time - ns
500
t
d(off)
t
r
t
f
t
d(on)
V
DD
= 25 V
V
GS(on)
= 3 V
R
G
= 10
鈩?/div>
0.2
0.5
1
2
5
10
I
D
- Drain Current - A
1
200
100
50
0.1
0.01
20
10
0.1
0.001
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
4

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  • 型號
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    描述
    廠商
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    Toshiba
  • 英文版
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    N-Channel Junction Silicon FET
    Sanyo
  • 英文版
    Silicon NPN Triple Diffused
    hitachi
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
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    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
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    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
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    hitachi
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