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2SK2109 Datasheet

  • 2SK2109

  • MOS Field Effect Transistor

  • NEC   NEC

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2SK2109
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 藲C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
100
10
5
d
T
- Derating Factor - %
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
80
I
D
- Drain Current - A
60
2
1
0.5
DC
40
10
1m
s
m
s
PW
20
0.2
Single pulse
0
0.1
30
60
90
120
T
A
- Ambient Temperature - 藲C
150
0
2
=
10
0
m
s
5
10
20
50
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
100
10 V
1.0
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
1
10 V
3.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
TRANSFER CHARACTERISTICS
V
DS
= 10 V
0.8
I
D
- Drain Current - A
I
D
- Drain Current - A
2.5 V
0.1
T
A
= 75 藲C
25 藲C
鈥?5 藲C
0.01
0.6
0.4
0.001
0.2
V
GS
= 2.0 V
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
2.0
0.0001
0.5
1
1.5
2
2.5
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
3
10
| y
fs
| - Forward Transfer Admittance - S
R
DS(ON)
- Drain to Source On-State Resistance -
鈩?/div>
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V
DS
= 10 V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. DRAIN CURRENT
1
V
GS
= 4 V
T
A
= 75 藲C
25 藲C
0.5
鈥?5 藲C
1
T
A
= 鈥?5 藲C
25 藲C
75 藲C
0.1
0.01
0.001
0.01
0.1
I
D
- Drain Current - A
1
0
0.01
0.1
1
I
D
- Drain Current - A
10
3

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  • 型號(hào)
    版本
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  • 英文版
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    ETC
  • 英文版
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    Toshiba
  • 英文版
    AUDIO FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
  • 英文版
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    Toshiba
  • 英文版
    FM TUNER APPLICATIONS VHF BAND AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
  • 英文版
    N-Channel Junction Silicon FET
    Sanyo
  • 英文版
    Silicon NPN Triple Diffused
    hitachi
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
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    hitachi
  • 英文版
    N-Channel Junction Silicon FET
    Sanyo
  • 英文版
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    SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET
    HITACHI
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