利用 PicoScope 示波器測(cè)量電源上電時(shí)序
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中,對(duì)于 DSP、CPU、GPU、FPGA 等高性能處理器而言,確保其各模塊所需電源的上電順序?qū)?shí)現(xiàn)其可靠運(yùn)行、提高效率并保障整體系統(tǒng)健康至關(guān)重要。接下來(lái),我們...
分類(lèi):電子測(cè)量 時(shí)間:2025-07-16 閱讀:190 關(guān)鍵詞:示波器測(cè)量
在芯片制造領(lǐng)域,電阻的測(cè)試至關(guān)重要,它主要分為方塊電阻和接觸電阻的測(cè)試。其中,方塊電阻是電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵組成部分,其阻值的準(zhǔn)確性會(huì)嚴(yán)重影響電路的性能。Fab 廠通常通過(guò) WAT 參數(shù)方塊電阻 Rs 來(lái)對(duì)其進(jìn)行監(jiān)測(cè)。...
全面解析晶體管測(cè)試儀:定義、使用方法及注意要點(diǎn)
在電子領(lǐng)域,晶體管測(cè)試儀是一款至關(guān)重要的工具。它能為電子愛(ài)好者、開(kāi)發(fā)者、設(shè)計(jì)者以及維修者提供準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)和便捷的測(cè)試體驗(yàn)。下面我們將從多個(gè)方面詳細(xì)介紹晶體管測(cè)試儀。晶體管測(cè)試儀的作用與定義晶體管測(cè)試儀性...
變壓器局放檢測(cè)技術(shù)全解析:各方法優(yōu)劣大揭秘
在電力系統(tǒng)中,變壓器的穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要,而局部放電是影響變壓器絕緣性能和使用壽命的關(guān)鍵因素之一。檢測(cè)技術(shù)為我們帶來(lái)了諸多便利,對(duì)于自動(dòng)化等專(zhuān)業(yè)的人士而言,對(duì)檢測(cè)或多或少都有所了解。在往期文章中,小編已...
電解電容簡(jiǎn)介電解電容是電容的一種,其金屬箔作為正極(常見(jiàn)的有鋁或鉭),與正極緊貼金屬的氧化膜(如氧化鋁或五氧化二鉭)充當(dāng)電介質(zhì)。陰極則由導(dǎo)電材料、電解質(zhì)(電解質(zhì)可以是液體或固體)和其他材料共同構(gòu)成,由...
惠斯通電橋(Wheatstone Bridge)是一種用于精確測(cè)量電阻的電路,由英國(guó)科學(xué)家塞繆爾·亨特·克里斯蒂于1833年發(fā)明,后由查爾斯·惠斯通改進(jìn)并推廣。其核心原理是通過(guò)平衡比較法測(cè)量未知電阻,具有高精度和靈敏度的...
聲發(fā)射檢測(cè)大探秘:原理、應(yīng)用與優(yōu)勢(shì)
在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時(shí)代,檢測(cè)技術(shù)對(duì)于保障電子器件等產(chǎn)品的質(zhì)量和安全性起著至關(guān)重要的作用。通過(guò)檢測(cè),我們能夠及時(shí)發(fā)現(xiàn)電子器件中存在的缺陷,從而確保其正常運(yùn)行。為了增進(jìn)大家對(duì)檢測(cè)技術(shù)的認(rèn)識(shí),本文將詳細(xì)介...
分類(lèi):電子測(cè)量 時(shí)間:2025-07-07 閱讀:255 關(guān)鍵詞:聲發(fā)射
深度剖析:利用 MG24 開(kāi)發(fā)板開(kāi)展天線分集測(cè)試
在電子通信領(lǐng)域,天線分集技術(shù)對(duì)于提升無(wú)線通信性能至關(guān)重要。Silicon Labs(芯科科技)的 EFR32MG24(MG24)多協(xié)議 SoC 支持 IEEE 802.15.4 協(xié)議下的天線分集功能,這是一...
分類(lèi):電子測(cè)量 時(shí)間:2025-07-05 閱讀:238 關(guān)鍵詞:MG24 開(kāi)發(fā)板
深入解析:半導(dǎo)體摻雜濃度及圖形測(cè)量的有效途徑
在芯片制造過(guò)程中,半導(dǎo)體的摻雜濃度及圖形測(cè)量是至關(guān)重要的環(huán)節(jié),它們對(duì)于確保芯片的性能和質(zhì)量起著關(guān)鍵作用。下面將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體摻雜濃度及圖形測(cè)量的相關(guān)方法。一、摻...
分類(lèi):電子測(cè)量 時(shí)間:2025-07-04 閱讀:245
在集成電路領(lǐng)域,閂鎖效應(yīng)(Latch - up)是一個(gè)需要重點(diǎn)關(guān)注的問(wèn)題。它可能會(huì)導(dǎo)致芯片損壞,影響電路的正常功能。下面我們將詳細(xì)介紹閂鎖效應(yīng)的形成原理和測(cè)試流程。一、閂...
分類(lèi):電子測(cè)量 時(shí)間:2025-07-04 閱讀:283 關(guān)鍵詞:閂鎖效應(yīng)
探秘高頻測(cè)量:分流電阻串聯(lián)電感補(bǔ)償?shù)脑砼c實(shí)踐
在電子測(cè)量領(lǐng)域,精確的電流測(cè)量至關(guān)重要。傳統(tǒng)的電流測(cè)量方法,如電流互感器(CT)和電流鉗探頭,在面對(duì)高頻信號(hào)或快速瞬變時(shí),存在諸多局限性。電流互感器和電流鉗往往會(huì)...
分類(lèi):電子測(cè)量 時(shí)間:2025-07-02 閱讀:307 關(guān)鍵詞:高頻測(cè)量
在芯片制造的微觀世界里,薄膜測(cè)量至關(guān)重要。芯片制造是一個(gè)極其復(fù)雜的過(guò)程,要在指甲蓋大小的芯片上集成數(shù)百億晶體管,需經(jīng)歷數(shù)百道嚴(yán)苛工藝。每道工序的參數(shù)波動(dòng)都可能像...
電路板靜電放電(ESD)測(cè)試的專(zhuān)業(yè)技術(shù)探討
1. ESD測(cè)試的理論基礎(chǔ)與標(biāo)準(zhǔn)體系1.1 ESD作用機(jī)理靜電放電對(duì)電子設(shè)備的影響主要表現(xiàn)為:直接傳導(dǎo)效應(yīng):通過(guò)I/O端口或電源端口直接注入場(chǎng)耦合效應(yīng):近場(chǎng)輻射耦合干擾電磁脈沖效應(yīng):快速瞬變產(chǎn)生的寬帶電磁干擾1.2 國(guó)際...
分類(lèi):電子測(cè)量 時(shí)間:2025-07-01 閱讀:603 關(guān)鍵詞:ESD測(cè)試
電阻精準(zhǔn)測(cè)量秘籍:全方位規(guī)避測(cè)量誤差
在電子電路的設(shè)計(jì)與維護(hù)工作中,精準(zhǔn)測(cè)量電阻是保障電路性能和穩(wěn)定性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。然而,在實(shí)際測(cè)量過(guò)程中,常常會(huì)受到多種因素的干擾,從而產(chǎn)生測(cè)量誤差。本文將為大家詳細(xì)介紹幾種精準(zhǔn)測(cè)量電阻的方法,以及避免測(cè)量...
功率放大器在傳感器測(cè)試中的多元應(yīng)用案例解析
在現(xiàn)代工業(yè)與科研領(lǐng)域,傳感器作為獲取外界信息的關(guān)鍵設(shè)備,其性能測(cè)試的重要性不言而喻。功率放大器作為傳感器相關(guān)測(cè)試系統(tǒng)中的核心組件,在傳感器測(cè)試領(lǐng)域的研究中發(fā)揮著...
在無(wú)線通信中,功率測(cè)量是一個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。無(wú)論是日常使用的手機(jī)信號(hào),還是復(fù)雜的雷達(dá)系統(tǒng),都需要精確測(cè)量信號(hào)的功率。功率過(guò)大可能干擾其他設(shè)備,過(guò)小又會(huì)影響通信質(zhì)量。本文將介紹幾種常見(jiàn)的射頻信號(hào)功率測(cè)量方法,...
詳解晶閘管識(shí)別要點(diǎn)與檢測(cè)實(shí)用技巧
在電子元器件的廣闊世界中,晶閘管是一種非常重要的器件,在眾多電路應(yīng)用中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。本文將為大家深入且全面地介紹晶閘管的識(shí)別與檢測(cè)方法。晶閘管的識(shí)別在電路原理...
貼片二極管檢測(cè)攻略:從普通到特殊的實(shí)用指南
在工程技術(shù)領(lǐng)域,貼片二極管作為一種重要的電子元器件,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管基本一致,均由一個(gè) PN 結(jié)構(gòu)成。正因如此,貼片二極管的檢測(cè)方法與普通二極管大致相同。通常情況下,對(duì)貼片二極管的檢測(cè)會(huì)采用萬(wàn)用表的...
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