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雙向 SiC 和 GaN 開關(guān)技術(shù)

有許多大容量電源應用需要控制雙向電源流。目前,單片雙向 SiC 和 GaN 功率半導體開關(guān)尚未商用。相反,通常使用單向功率器件的背靠背(反串聯(lián))連接方案,導致芯片面積增加...

時間:2023-08-02 閱讀:994 關(guān)鍵詞:SiC , GaN

如何制作SiC雙向開關(guān)

“就電流而言,GaN 橫向器件本質(zhì)上是雙向的。無論電流是從源極到漏極還是從漏極到源極,都是一樣的,因為不涉及體二極管。然而,這種配置的阻塞是單向的,因為它是由柵極到...

時間:2023-07-18 閱讀:853 關(guān)鍵詞:SiC雙向開關(guān)

兆赫開關(guān)頻率提升 GaN 性能

氮化鎵 (GaN) 因其比傳統(tǒng)硅基器件更高的電子遷移率而具有出色的高頻開關(guān)能力。GaN 晶體管對于電力電子器件至關(guān)重要,因為它們在高開關(guān)頻率下工作,從而實現(xiàn)更小的磁性元件...

時間:2023-07-13 閱讀:780 關(guān)鍵詞:開關(guān)

將觸覺按鈕開關(guān)連接到 RPi

將觸覺按鈕開關(guān)連接到 RPi 非常容易。需要記住的一個重要事項是 RPi 的 GPIO 引腳符合 +3.3VDC 標準。施加大于 +3.3VDC 的電壓會損壞 RPi。連接觸覺按鈕開關(guān)的電氣接線圖如...

時間:2023-07-06 閱讀:740 關(guān)鍵詞:按鈕開關(guān)

了解單極開關(guān)、全極開關(guān)、雙極開關(guān)

單極開關(guān) 單極開關(guān)的功能如圖 3所示。 該器件被稱為單極開關(guān),因為它的開關(guān)閾值(B RP和B OP)位于B場軸的正區(qū)域。輸出狀態(tài)只能響應南極場而改變。北極或負磁場對傳感器沒有影響;解釋“單極開關(guān)”這個名稱...

時間:2023-06-30 閱讀:3444 關(guān)鍵詞:全極開關(guān),單極開關(guān),雙極開關(guān)

開關(guān)器件的作用

牽引逆變器通常由三個半橋元件組成,每個半橋元件由一對被稱為高側(cè)和低側(cè)開關(guān)的 MOSFET 或 IGBT 組成。每個電機相有一個半橋,總共三個,柵極驅(qū)動器控制每個開關(guān)器件。 圖 1牽引逆變器概述突出顯示了關(guān)鍵設(shè)計構(gòu)建...

時間:2023-06-30 閱讀:1017 關(guān)鍵詞:開關(guān)器件

輸入接口單個開關(guān)

開關(guān)和按鈕是具有兩組或更多組電觸點的機械裝置。當開關(guān)打開或斷開時,觸點開路,而當開關(guān)閉合或操作時,這些觸點短路在一起。 將開關(guān)(或按鈕)連接到電子電路的最常見...

時間:2023-06-27 閱讀:922 關(guān)鍵詞:開關(guān)

使用 MOSFET 作為開關(guān)的示例

在此電路布置中,增強型 N 溝道 MOSFET 用于將簡單的燈“打開”和“關(guān)閉”(也可以是 LED)。 柵極輸入電壓V GS被帶到適當?shù)恼妷弘娖揭源蜷_設(shè)備,因此燈負載“打開”...

時間:2023-06-20 閱讀:1081 關(guān)鍵詞:MOSFET

AND 函數(shù)的開關(guān)表示

AND 函數(shù)的開關(guān)表示 邏輯與功能 在這里,兩個開關(guān)A和B連接在一起形成串聯(lián)電路。因此,在上面的電路中,開關(guān)A 和開關(guān)B都必須閉合(邏輯“1”)才能點亮燈。換句話說,...

時間:2023-06-20 閱讀:1123 關(guān)鍵詞:AND 函數(shù)

開關(guān)電容電路頻率的優(yōu)缺點

如果 f OSC太低,開關(guān)系統(tǒng)會缺電,這表現(xiàn)為提供負載電流的能力降低——換句話說,表現(xiàn)為更高的輸出電阻。事實上,理想化開關(guān)電容電路的輸出電阻與振蕩器頻率(以及 C1 的值...

時間:2023-06-19 閱讀:784 關(guān)鍵詞:開關(guān)電容

MOSFET 對構(gòu)成簡單的 SPDT 開關(guān)

使用 n 和 p 溝道 MOSFET,您可以輕松實現(xiàn)單刀雙擲 (SPDT) 開關(guān)來隔離電路的一部分,并在電路其余部分關(guān)閉時從輔助電源為其供電以進行待機操作(圖 1)。通過使用互補對,...

時間:2023-06-13 閱讀:1213 關(guān)鍵詞:MOSFET , SPDT 開關(guān)

一項聲稱用于硬開關(guān)的 GaN 技術(shù)突破

一種新的氮化鎵 (GaN) 解決方案聲稱可以使該技術(shù)遠遠超過其當前 100 kHz 的限制,以促進為 HVAC 和機器人技術(shù)等應用提供服務的電機驅(qū)動系統(tǒng)在高壓下的硬開關(guān)。QPT 的兩個新模塊采用了一種 IP,使高壓硬開關(guān)應用中的 ...

時間:2023-05-26 閱讀:968 關(guān)鍵詞: GaN 技術(shù)

開關(guān)直流升壓電原理分析

開關(guān)直流升壓電路(即所謂的boost或者step-up電路)原理the boost converter,或者叫step-up converter,是一種開關(guān)直流升壓電路,它可以是輸出電壓比輸入電壓高。假定那個開關(guān)(三極管或者mos管)已經(jīng)斷開了很長時間,所...

時間:2023-05-20 閱讀:754 關(guān)鍵詞:開關(guān)

開關(guān)去抖動器IC創(chuàng)建長周期定時器

本應用描述了如何降低僅需要定期使用μP的系統(tǒng)功耗。通過使用去抖IC電路,可以將μP設(shè)置為在較長的定時器周期內(nèi)進行監(jiān)控,從而允許其在剩余時間內(nèi)進入低功耗模式。結(jié)果,總功率降低。長周期計時器的一個主要應用是遠...

時間:2023-05-16 閱讀:1351 關(guān)鍵詞:開關(guān)

數(shù)字(開/關(guān))霍爾效應設(shè)備:開關(guān)和鎖存器

霍爾效應開關(guān)和鎖存器是磁場比較器。它們將磁通密度(有時稱為 B 場)與一些預先指定的閾值進行比較,并將比較結(jié)果作為 1 位數(shù)字值輸出。有四種不同類別的數(shù)字(開/關(guān))霍...

時間:2023-05-12 閱讀:987 關(guān)鍵詞:霍爾效應設(shè)備

RF SP4T 開關(guān)范圍從直流到 18 GHz

Menlo Micro 的 MM5120 SP4T 開關(guān)具有內(nèi)置電荷泵和驅(qū)動器,可降低高功率射頻設(shè)計的成本和復雜性。這種微型設(shè)備的工作頻率范圍為直流至 18 GHz,可處理高達 25 W 連續(xù)和 150...

時間:2023-02-22 閱讀:517 關(guān)鍵詞:RF SP4T 開關(guān)

IGBT的窄脈沖

1.什么是窄脈沖現(xiàn)象 IGBT作為一種功率開關(guān),從門級信號到器件開關(guān)過程需要一定反應時間,就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣,過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被高頻...

時間:2023-02-21 閱讀:493 關(guān)鍵詞:IGBT

用于無線電力傳輸?shù)?MEMS 開關(guān)

如果諧振無線電力傳輸 (WPT) 系統(tǒng)要實現(xiàn)其為電動汽車和其他大功率應用充電的承諾,則必須首先圓滿解決工程問題。 優(yōu)化諧振 WPT 系統(tǒng)性能的最大挑戰(zhàn)之一是確保始終為發(fā)射機電力電子設(shè)備提供相對恒定的負載阻抗。例...

時間:2023-02-17 閱讀:577 關(guān)鍵詞: MEMS 開關(guān)

檢測開關(guān)為智能應用提供小尺寸、長壽命

什么是檢測開關(guān)? 檢測開關(guān),也稱為“檢測器”開關(guān),是一種微型機電開關(guān),可檢測(或感測)物體對其致動器的任何移動或激活。在檢測開關(guān)下方,有一個觸點終端,如果有電信號連接到檢測開關(guān)的端子,則當開關(guān)打開時...

時間:2023-02-16 閱讀:643 關(guān)鍵詞:檢測開關(guān)

兩線多點控制負載開關(guān)定時器

具有受控有限開啟時間的負載開關(guān),從兩條線上的多個對等點啟動,可以顯著節(jié)省能源。這種開關(guān)可以用在房屋的入口處、走廊和大廳的通道等處。 先前已知的負載開關(guān)定時器在其操作中使用了一系列常開按鈕,這限制了最...

時間:2023-02-14 閱讀:478 關(guān)鍵詞:USB接口

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