在當今時代，隨著 AI 算力需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長，數(shù)據(jù)中心電力系統(tǒng)正面臨著前所未有的挑戰(zhàn)。為應(yīng)對這一現(xiàn)狀，安森美（onsemi）推出了 AI 數(shù)據(jù)中心電源解決方案，精準直擊能效、尺寸等痛點問題，全力助力客戶把握數(shù)據(jù)中心的市場機遇。

下方的框圖展示了安森美推薦的 AI 數(shù)據(jù)中心解決方案，該圖詳細說明了 AI 數(shù)據(jù)中心采用的 AC - DC 轉(zhuǎn)換與 DC - DC 配電級。安森美通過整合技術(shù)實現(xiàn)協(xié)同效應(yīng)，其方案融合了先進的硅基（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率開關(guān)技術(shù)。同時，還集成了柵極驅(qū)動器、多相控制器及 48V 控制器、智能功率級（SPS）模塊、智能熔絲以及負載點（PoL）降壓轉(zhuǎn)換器等多種元器件。這種組合方案能夠顯著提升系統(tǒng)能效與功率密度，從而大幅縮減系統(tǒng)尺寸。

安森美憑借其業(yè)界的硅（Si）和碳化硅（SiC）技術(shù)，走在推動 AI 未來發(fā)展的前沿，為數(shù)據(jù)中心提供從電網(wǎng)到 GPU 的一整套電源解決方案（從 3kW 到 25 - 30kW HVDC）。其技術(shù)旨在滿足 AI 驅(qū)動運算帶來的激增電力需求，確保更高的效率和更低的總擁有成本（TCO）。通過專注于優(yōu)化能源使用和提升功率密度，該解決方案不僅結(jié)構(gòu)緊湊，還支持可持續(xù)的生態(tài)系統(tǒng)。

安森美的 12kW 電源單元（PSU）參考設(shè)計在市場上脫穎而出，憑借卓越的輸出功率、先進的技術(shù)與高能效，成為現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的理想解決方案。12kW 的功率輸出比競爭對手高出 50%，能夠有效滿足 AI 和云計算環(huán)境的嚴苛要求。該 12kW AI 云計算電源單元（PSU）通過集成先進的 M3S MOSFET + SiC JFET 器件，確保了卓越的性能，具備更高的開關(guān)頻率和更強的熱管理能力。其轉(zhuǎn)換效率高達 98%，顯著降低了能源成本和冷卻需求。

其主要特性如下：

• 輸入電壓：VIN = 180 - 305 VAC
• 輸入頻率：FIN = 47 - 63 Hz
• 輸入電流：IIN = 68 A
• 輸出電壓：VOUT = 50 V
• 峰值效率：98 %（@ 277 VIN 與 50% 負載）
• 總諧波失真（THD）：≤5% @ 30% 至 100% 輸出功率
• 保持時間：20 ms @滿載
• 外形尺寸：80 x 42 x 750 mm，功率密度達 75 W/in3

安森美的 650V M3S EliteSiC MOSFET 憑借卓越的開關(guān)性能和更低的器件電容，實現(xiàn)了更高的效率。這項前沿技術(shù)在 ORV3 電源單元（PSU）中實現(xiàn)了高達 97.5% 的峰值效率。在高速開關(guān)頻率應(yīng)用中，憑借業(yè)界的品質(zhì)因數(shù)（Figure - of - Merit, FoM），在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中均表現(xiàn)出色，在 PFC（功率因數(shù)校正）級效率可達 99.6%。此外，安森美高性能的 SiC 共源共柵（Cascode）JFET 具備高速開關(guān)、低導(dǎo)通電阻以及與現(xiàn)有驅(qū)動器兼容的優(yōu)勢，成為超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心極具吸引力的解決方案，可顯著降低系統(tǒng)成本并提供出色的能效。

750V SiC 共源共柵 JFET 在軟開關(guān)應(yīng)用中，能夠?qū)崿F(xiàn)成本與性能之間的平衡；在高壓直流 HVDCORing（防止反向輸入電流）應(yīng)用中，實現(xiàn)成本與可靠性之間的平衡，同時保持與超級結(jié) FET（SJ FET）相同的驅(qū)動兼容性。

安森美的這些電源解決方案在數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器電源、云系統(tǒng)、電信、電動汽車充電、功率因數(shù)校正（PFC）、太陽能逆變器等眾多領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用前景，為推動各行業(yè)的發(fā)展提供了有力的支持。