在當今電子設備快速發(fā)展的時代，快充技術成為了人們關注的焦點。準諧振芯片由于其在高功率密度、低功耗設計方面的出色表現(xiàn)，被廣泛應用于便攜式設備、快充產品、USB - PD 充電器等領域。今日為大家推薦深圳銀聯(lián)寶科技的集成 E - GaN 的高頻高性能準諧振模式 PD 快充 ic U8726AHE。

　　一、高壓啟動功能

　　PD 快充 ic U8726AHE 集成了高壓啟動功能。在啟動階段，U8726AHE 通過芯片 DRAIN 腳對 VDD 充電。當 VDD 電壓達到 VVDD_ON（典型值 12V）時，高壓供電關閉。輸出建立后，芯片供電由輔助繞組提供。
　　在啟動過程中，當 VDD 低于 3V 時，高壓供電電路對 VDD 電容的充電電流為 IHV1（典型值 0.5mA），采用小電流充電，可以降低 VDD 引腳對地短路時的芯片功耗。當 VDD 電壓超過 3V 時，充電電流增加到 IHV2（典型值 4.7mA），以縮短啟動時間。隨著 VDD 電壓升高，充電電流逐漸減小。當 VDD 電壓降到 VVDD_REG（典型值 9V）時，高壓供電電路再次開啟，以維持 VDD 電壓。
　　然而，如果低鉗位供電狀態(tài)持續(xù)時間超過 80ms，并且系統(tǒng)工作在非輕載模式時，芯片將觸發(fā)保護。當芯片觸發(fā)保護狀態(tài)時，系統(tǒng)停止打驅動，高壓供電電路開啟，維持 VDD 電壓在 VVDD_REG_ST（典型值 12V）。這一保護機制能夠有效保障芯片在異常情況下的安全運行，避免因長時間低電壓供電而造成的損壞。

　

　　二、集成 E - GaN 和驅動電流分檔功能

　　PD 快充 ic U8726AHE 集成高壓 E - Mode GaN FET，為了保障 GaN FET 工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為 VDRV（典型值 6.4V）。

　　在高頻交直流轉換器的設計中，EMI 性能是一個難點。為此，U8726AHE 通過 DEM 管腳集成了驅動電流分檔配置功能。通過配置 DEM 管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅動電流，進而調節(jié) GaN FET 的開通速度。系統(tǒng)設計者可以根據實際需求，獲得的 EMI 性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數表。
　　U8726AHE 系列還集成輕載 SR 應力優(yōu)化功能，在驅動電流配置為、第二、第三檔位時，當芯片工作于輕載模式時，將原邊開通速度減半，減小空載時 SR 的 Vds 應力過沖。這一功能能夠有效提高芯片在輕載情況下的穩(wěn)定性和可靠性。