閾值電壓（Threshold Voltage）是指在電子器件（如場效應晶體管或其他半導體器件）中，開啟或關閉該器件所需的電壓。當施加的電壓超過這個閾值時，器件會開始導通，從而允許電流流過。
　　閾值電壓的影響因素：
　　材料特性：不同半導體材料（如硅、砷化鎵等）具有不同的能帶結構和電子遷移率，影響閾值電壓的大小。
　　摻雜濃度：半導體中摻雜物的濃度會影響載流子濃度，進而影響閾值電壓。高摻雜濃度通常會降低閾值電壓。
　　柵極氧化層厚度：在場效應晶體管中，柵極氧化層的厚度直接影響電場強度，進而影響閾值電壓。較厚的氧化層通常會導致更高的閾值電壓。
　　溫度：溫度變化會影響半導體的載流子濃度和遷移率，因此閾值電壓在不同溫度下也會有所不同。
　　偏置條件：施加在器件上的直流偏置電壓或交流信號也會對閾值電壓產(chǎn)生影響。
　　表面狀態(tài)：在半導體材料表面或界面處的缺陷和污染物可以影響載流子的行為，從而改變閾值電壓。