Toshiba - 東芝擴展U-MOSX-H系列80V N溝道功率MOSFET產品線,助力降低電源功耗
出處:維庫電子市場網(wǎng) 發(fā)布于:2024-06-05 17:39:59
東芝推出的三款80V N溝道功率MOSFET擴展產品均采用其一代“U-MOSX-H系列”工藝,適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站等工業(yè)設備的開關電源(高效AC-DC轉換器,高效DC-DC轉換器等)、電機控制設備(電機驅動器等)。新產品采用表面貼裝型SOP Advance(N)封裝,“TPH3R008QM”漏源導通電阻(值)為3mΩ,“TPH6R008QM”為6mΩ,“TPH8R808QM”為8.8mΩ。
新產品降低了品質因數(shù)(FOM:表示為導通電阻×電荷特性),有助于降低設備功耗。以TPH3R008QM為例,與現(xiàn)有產品TPH4R008NH相比,其品質因數(shù),即漏源導通電阻與總柵極電荷乘積約下降48%,漏源導通電阻與柵極開關電荷乘積約下降16%,漏源導通電阻與輸出電荷乘積約下降33%。
產品主要特性如下
一代工藝U-MOSX-H系列
低導通電阻:
TPH3R008QM RDS(ON)=3mΩ(值)(VGS=10V)
TPH6R008QM RDS(ON)=6mΩ(值)(VGS=10V)
TPH8R808QM RDS(ON)=8.8mΩ(值)(VGS=10V)
高額定結溫:Tch(值)=175°C
 
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