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Toshiba - 東芝擴展U-MOSX-H系列80V N溝道功率MOSFET產品線,助力降低電源功耗

出處:維庫電子市場網(wǎng) 發(fā)布于:2024-06-05 17:39:59

  通信基站是現(xiàn)代通信系統(tǒng)中的重要組成部分,數(shù)據(jù)中心也和網(wǎng)絡通訊一樣逐漸成為現(xiàn)代社會基礎設施的一部分,對很多產業(yè)都產生了積極影響。其中,開關電源起著不可忽視的作用,它憑借穩(wěn)定、可靠、高效的供電保證了整個通信基站和數(shù)據(jù)中心的正常運行。
  東芝推出的三款80V N溝道功率MOSFET擴展產品均采用其一代“U-MOSX-H系列”工藝,適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站等工業(yè)設備的開關電源(高效AC-DC轉換器,高效DC-DC轉換器等)、電機控制設備(電機驅動器等)。新產品采用表面貼裝型SOP Advance(N)封裝,“TPH3R008QM”漏源導通電阻(值)為3mΩ,“TPH6R008QM”為6mΩ,“TPH8R808QM”為8.8mΩ。
  新產品降低了品質因數(shù)(FOM:表示為導通電阻×電荷特性),有助于降低設備功耗。以TPH3R008QM為例,與現(xiàn)有產品TPH4R008NH相比,其品質因數(shù),即漏源導通電阻與總柵極電荷乘積約下降48%,漏源導通電阻與柵極開關電荷乘積約下降16%,漏源導通電阻與輸出電荷乘積約下降33%。
  產品主要特性如下
   一代工藝U-MOSX-H系列
   低導通電阻:
  TPH3R008QM RDS(ON)=3mΩ(值)(VGS=10V)
  TPH6R008QM RDS(ON)=6mΩ(值)(VGS=10V)
  TPH8R808QM RDS(ON)=8.8mΩ(值)(VGS=10V)
   高額定結溫:Tch(值)=175°C

 

  主要規(guī)格


關鍵詞:半導體

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