PN結(jié)作為整流器
出處:網(wǎng)絡(luò)整理 發(fā)布于:2024-03-19 16:52:00
方鉛礦的價帶和導(dǎo)帶之間的能隙很小,約為 0.4 eV。方鉛礦還含有少量雜質(zhì),可以使受激電子躍入導(dǎo)帶并導(dǎo)電。方鉛礦無線電不需要外部電源來實現(xiàn)這一點。水晶收音機影響了 20 世紀(jì)無線通信在范圍內(nèi)的擴展。
對傳導(dǎo)機制的進一步了解使得我們可以用當(dāng)今優(yōu)化的半導(dǎo)體來取代這些原始的整流形式。
本文將重點關(guān)注 pn 結(jié)作為許多半導(dǎo)體器件的主要示例。
PN整流結(jié)
PN結(jié)是一種整流二極管,因為它具有不對稱的電流/電壓特性,允許電流僅沿一個方向流動。一個例子是將交流電轉(zhuǎn)換為直流電。
具有反向偏置的 PN 結(jié)
將電池 (DC) 的負(fù)極端子連接到 PN 結(jié)的 P 型側(cè),將正極端子連接到 PN 結(jié)的 N 型側(cè)時,會發(fā)生反向偏壓,從而使 N 型側(cè)比 P 型側(cè)更正極。圖 2 顯示了電荷載流子對施加反向偏置電勢的反應(yīng)。
連接極性導(dǎo)致 P 型側(cè)的空穴和 N 型側(cè)的電子遠離結(jié),分離正電荷和負(fù)電荷(極化),并使結(jié)周圍更大的區(qū)域沒有移動電荷載流子。
負(fù)電荷區(qū)域進一步向結(jié)點左側(cè)擴展,正電荷區(qū)域進一步向結(jié)點右側(cè)擴展。
實際上,由于熱能在整個晶體中產(chǎn)生少量空穴電子對,因此會流過小電流。N 型側(cè)形成的空穴和 P 型側(cè)產(chǎn)生的電子將漂移到結(jié)。該過程會產(chǎn)生反向飽和電流 (IS),該電流會隨著溫度的升高而增加,并且與反向偏壓的大小無關(guān)。因此,結(jié)的反向電阻隨著溫度的升高而降低。
反向飽和電流約為幾 ?A,通常為 nA(大功率器件除外)。它很快達到水平,并且不會隨著反向偏置電勢的增加而發(fā)生顯著變化——這就是術(shù)語飽和的原因。
解釋反向傳導(dǎo)機制的另一種方法是考慮未施加電壓 (V0) 時結(jié)點上的勢壘以及使用反向偏置電勢 V 的影響。
由于大量自由電子被吸引到電池的正極端子,N型側(cè)將增加耗盡區(qū)中未被覆蓋的正離子的數(shù)量。由于大量的空穴被吸引到電池的負(fù)極端子,P型側(cè)將增加耗盡區(qū)中未被覆蓋的負(fù)離子的數(shù)量。結(jié)果是耗盡區(qū)變寬,多數(shù)載流子需要克服的勢壘更高。反向偏置電勢增加到勢壘電壓,將有效勢壘電壓增加到V0+V。
增加的勢壘高度減少了多數(shù)載流子的流動、擴散到n型側(cè)的空穴數(shù)量以及擴散到P型側(cè)的電子數(shù)量。額外的勢壘高度不會影響少數(shù)載流子的流動(P 型側(cè)的電子和 n 型側(cè)的空穴),因為它們會從山上掉下來。
總而言之,擴散電流 Id 顯著降低。一伏左右的反向偏置電壓足以消除 Id。那么,流過結(jié)點和外電路的電流就是電流Is?;叵胍幌拢@是由于少數(shù)載流子(熱產(chǎn)生的)漂移穿過耗盡區(qū)而產(chǎn)生的電流,IS 將非常小并且嚴(yán)重依賴于溫度。
圖3顯示了具有反向飽和電流方向的整流器(二極管)符號,圖1的左半部分顯示了反向偏置條件下的伏安特性。
具有正向偏置的 PN 結(jié)
當(dāng)將電池的正極端子連接到 PN 結(jié)的 P 型側(cè)、將負(fù)極端子連接到 PN 結(jié)的 N 型側(cè)時,會發(fā)生正向偏壓,從而使 P 型側(cè)比 N 型側(cè)更具正極性。圖 4 顯示了電荷載流子對施加正向偏置電勢的反應(yīng)。
電池的正極端子排斥空穴,而負(fù)極端子排斥電子。然后,多數(shù)載流子、N型側(cè)的電子和P型側(cè)的空穴行進到結(jié)。當(dāng)空穴和電子相遇時,它們會重新結(jié)合,從而相互消滅。這個過程減少了耗盡區(qū)的寬度,產(chǎn)生了穿過結(jié)的多數(shù)載流子的大量流。
施加的正向電壓 V 擾亂了初在傾向于產(chǎn)生多數(shù)載流子擴散的力與結(jié)處勢能勢壘的抑制影響之間建立的平衡。正向電壓降低了結(jié)處勢壘的高度,導(dǎo)致耗盡區(qū)上的勢壘電壓為 V0?V。
較低的勢壘電壓使得更多的空穴從P型側(cè)擴散到N型側(cè),并且更多的電子從N型側(cè)擴散到P型側(cè)。大量電荷載流子流過半導(dǎo)體流向結(jié),產(chǎn)生低電阻和可觀的電流。因此,擴散電流Id大幅增加。
少數(shù)載流子流(電子從 p 型側(cè)到 n 型側(cè)以及空穴從 n 型側(cè)到 p 型側(cè))的大小不會改變。然后,Id變得比反向飽和電流Is大多個數(shù)量級。
電流Id沿結(jié)點正向流動,如圖5所示。
增加所施加偏壓的幅度會減小耗盡區(qū)的寬度。它使電流呈指數(shù)上升——如圖 1 伏安特性的右半邊所示。
連接點故障
施加在介電材料上的高強度電場可能會突然將大量電子激發(fā)到導(dǎo)帶內(nèi)的能量,導(dǎo)致通過介電材料的電流急劇增加。這種現(xiàn)象有時伴隨著燃燒、局部熔化或汽化,產(chǎn)生不可逆的材料降解和失效。介電強度或擊穿強度是引起擊穿的電場強度。
在 PN 結(jié)中,熱產(chǎn)生的載流子可以支持較小的反向飽和電流,等于 Is。假設(shè)我們施加大于 Is 的反向電流。與之前一樣,結(jié)處勢壘的高度不斷增加,直到 Id = 0,穿過結(jié)的載流子是熱產(chǎn)生的載流子。但這些運營商只能支持當(dāng)前的Is。
當(dāng)我們增加反向電壓時,耗盡區(qū)變寬,并且我們達到足夠高的結(jié)電壓,其中新的機制進入以支持所施加的電流。這種新機制就是結(jié)點擊穿。
高結(jié)電壓是擊穿電壓(VBR)或齊納電壓(Vz??)。在該反向偏置電壓下,會流過巨大的反向電流,如圖 1 的左半部分所示,伏安特性發(fā)生顯著變化。
觀察到反向電壓的增加,而反向電流顯著上升——結(jié)點上的反向電壓保持非常接近值 VZ。
只要結(jié)具有足夠的功耗能力以在擊穿區(qū)域工作,結(jié)擊穿就不是破壞性現(xiàn)象。因此,pn結(jié)可以經(jīng)常工作在擊穿區(qū)而不損害其特性。實際應(yīng)用是雪崩、擊穿或齊納二極管。
PN 結(jié)擊穿的兩種機制是齊納效應(yīng)和雪崩效應(yīng)。
當(dāng)耗盡層中的電場產(chǎn)生的電力足以將電子從共價鍵中撕裂,形成電子-空穴對時,就會發(fā)生齊納效應(yīng)。電場將空穴驅(qū)動到 p 型側(cè),將電子驅(qū)動到 n 型側(cè),從而在結(jié)上產(chǎn)生反向電流。
當(dāng)擊穿電壓較高時,就會產(chǎn)生雪崩效應(yīng)。在電場的影響下穿過耗盡區(qū)的熱產(chǎn)生的少數(shù)載流子與晶格成員碰撞。通過高結(jié)電壓,它們獲得足夠的動能來破壞與其碰撞的原子中的共價鍵并產(chǎn)生電子空穴對。
同樣,電場將空穴驅(qū)動到 P 型側(cè),將電子驅(qū)動到 N 型側(cè)。這些載流子的移動相當(dāng)于一個載流子穿過耗盡區(qū)。它們可以發(fā)生電離碰撞,以雪崩的方式產(chǎn)生新的電子空穴對。結(jié)果是形成許多能夠維持任何反向電流值的載流子,而結(jié)點上的電壓降有微小的變化。
當(dāng)硅中的電壓低于5V時發(fā)生擊穿,其機理是齊納效應(yīng)。在硅中,電壓高于 7V 時,就會發(fā)生雪崩擊穿。對于 5V 和 7V 之間的電壓,儀器可能使用任一機制或兩者的組合。
整改過程
圖 1 顯示 PN 結(jié)是非歐姆或非線性元件。造成這種現(xiàn)象的原因是組件上的電荷運動機制。一個值得注意的特征是結(jié)的伏安特性不對稱。然后,反轉(zhuǎn)電壓極性不會在相反方向產(chǎn)生相同的電流幅度。
圖6展示了當(dāng)向非線性元件施加幅度為V0的正弦諧波電壓時,輸入電壓和輸出電流的過程,并顯示伏安特性曲線。結(jié)果是非諧波的正弦電流,并且在 I1 和 -I2 之間變化。當(dāng)I1的幅度遠大于I2的幅度時,我們有一個整流過程。
如果我們向 PN 結(jié)施加正弦電壓,則反向偏壓 (Is) 的電流值與正向偏壓 (Id) 相比非常小。然后,PN結(jié)充當(dāng)整流器,讓電流沿一個方向通過,但不能反向通過。
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