理解和設計模擬電路要求很好地掌握小信號分析方法。小信號分析在模擬電路中用得如此頻繁，以至于我們希望找到一個更快捷的方法完成電路的性能分析。在CMOS模擬電路中，存在一種非常簡單的小信號分析法，我們稱之為直觀分析法。這個方法基于CMOS電路的電路圖而不需要再畫出小信號模型。它將交流變化疊加在直流變量上。此技術可以確定將輸入電壓轉化為電流的晶體管。我們稱這些管子為跨導晶體管?？鐚Ьw管產(chǎn)生的電流流經(jīng)電阻至交流地。用電流乘以這個電阻就可以得到這個節(jié)點的電壓。這個方法既快也可用于檢查用小信號模型進行的小信號分析。

　　讓我們用這個方法分析圖5.2-5中的差分放大器。

　　圖5.2-11重畫了圖5.2-5中已確定交流電壓和電流的差分放大器。注意： 交流電流可以逆直流而流。這就意味著實際的電流是減小的而不是改變方向。
　　VDDM3M4　　由圖5.2-11，作為差模工作，我們看到M1 和M2 的電流分別為0.5gm1νd和 0.5g2νM<05gm1Vid的電流流進 M3 和M4 組成的電流鏡并在輸出端拷貝輸出(   0.5g  v 的電流。于是， 流向輸出節(jié)點(M2和M4的漏極)的交流電流的總和是   g  v 或g=10do如果我們回憶起這種差分放大器的輸出電阻是 rdx 和ro4的并聯(lián)，那么由觀察可以寫出輸出電壓為：&mlvidgmlyidrou22+M1M28mlyid8m2V1422Vout22M5　　　　ν∞el=(gn1vid)(r∞∞)=(g 1gdar+gωΦ)vd(5.2-33)如果gml=gml=g∞,這個計算給出式(5.2-21)推導的小信號差模電壓增益。
　　如果我們還記得曾經(jīng)學過的幾個知識點，上面描述的小信號觀察分析法是非常有用的。這幾個知識點是：共源共柵結構的小信號輸出電阻近似等于共源晶體管的r  乘以共柵晶體管的gm /m。這個關系可以表示為：row(共源共柵) ≈ rω(共源)×8crta.(共柵) (5.2-34)　　除了這個關系，考察圖5.2-10中的條件將十分有用。
　　中跨導晶體管的源極接有一個到地的電阻。在這個條件下，我們可以用式(5.2-26)表示有效跨導gm(有效)， 即：其中gn(41其中)=gn1+gnR(5.2-35)
　　g 式中,g 是管子的跨導, R是從源極到地的小信號電阻。對于式(5.2-26), R=2Tas, gm=gm;利用式(5.2-34)和式(5.2-35 )， 設計者將能夠借助于直觀分析法分析本教材后面的幾乎所有電路。不過此法對于小信號頻率響應的分析不適用，只可應用一些簡單的結論(典型情況下，MOSFET 電路的極點等于節(jié)點到交流地的交流電阻與電容乘積的倒數(shù))。