晶體三極管中有兩種帶有不同極性電荷的載流子參與導(dǎo)電，故稱之為雙極型晶體管(BJΓ),又稱半導(dǎo)體三極管，以下簡稱晶體管。

　　圖1.3.1所示為晶體管的幾種常見外形。
　　圖(a)、(b)所示為小功率管，圖(c)所示為中等功率管，圖(d)所示為大功率管。
　　圖(b)(c)所示外形便于安裝散熱器，以防止管子功耗過大而損壞。
　　集電極(a)(b)(c)(d)圖1.3.1 晶體管的幾種常見外形(a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 中功率管 (d) 大功率管1.3.1晶體管的結(jié)構(gòu)及類型　　根據(jù)不同的摻雜方式在同一個硅片上制造出三個摻雜區(qū)域，并形成兩個PN 結(jié)，就構(gòu)成晶體管。

　　采用平面工藝制成的 NPN型硅材料晶體管的結(jié)構(gòu)如圖1.3.2(a)所示，位于中間的P區(qū)稱為基區(qū)，它很薄且雜質(zhì)濃度很低；位于上層的 N區(qū)是發(fā)射區(qū)，摻雜濃度很高；位于下層的N區(qū)是集電區(qū)，面積很大；晶體管的外特性與三個區(qū)域的上述特點緊密相關(guān)。

　　它們所引出的三個電極分別為基極b、發(fā)射極 e和集電極 c。
　　圖(b)所示為 NPN 型管的結(jié)構(gòu)示意圖，發(fā)射區(qū)與基區(qū)間的 PN 結(jié)稱為發(fā)射結(jié)，基區(qū)與集電區(qū)間的 PN結(jié)稱為集電結(jié)。

　　圖(c)所示為 NPN 型管和PNP型管的符號。本節(jié)以 NPN型硅管為例講述晶體管的放大作用、特性曲線和主要參數(shù)。

     晶體管的電流放大作用

　　放大是對模擬信號基本的處理。在生產(chǎn)實際和科學實驗中，從傳感器獲得的電信號都很微弱，只有經(jīng)過放大后才能作進一步的處理，或者使之具有足夠的能量來推動執(zhí)行機構(gòu)。晶體管是放大電路的元件，它能夠控制能量的轉(zhuǎn)換，將輸入的任何微小變化不失真地放大輸出。

　　圖1.3.3所示為基本放大電路，Δu為輸入電壓信號，接入基極-發(fā)射極回路，稱為輸入回路；放大后的信號在集電極-發(fā)射極回路，稱為輸出回路。由于發(fā)射極是兩個回路的公共端，故稱該電路為共射放大電路。
　　使晶體管工作在放大狀態(tài)的外部條件是發(fā)射結(jié)正向偏置且集電結(jié)反向偏置。因而在輸入回路需加基極電源V;；在輸出回路需加集電極電源Vc;V0和Vc的極性應(yīng)如圖1.3.3所示,且Vc應(yīng)大于V晶體管的放大作用表現(xiàn)為小的基極電流可以控制大的集電極電流。
　　下面從內(nèi)部載流子的運動與外部電流的關(guān)系上來做進一步的分析。一、晶體管內(nèi)部載流子的運動當圖1.3.3所示電路中Δu=0時，晶體管內(nèi)部載流子運動示意圖如圖1.3.4所示。7./cIcaoRc+7、7、R.RbuR1.+lAuVcc7.VVBBl.

圖1.3.3 基本共射放大電路圖       1.3.4 晶體管內(nèi)部載流子運動與外部電流

　　1.發(fā)射結(jié)加正向電壓，擴散運動形成發(fā)射極電流I.　

　因為發(fā)射結(jié)加正向電壓，又因為發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度高，所以大量自由電子因擴散運動越過發(fā)射結(jié)到達基區(qū)。

     與此同時，空穴也從基區(qū)向發(fā)射區(qū)擴散，但由于基區(qū)雜質(zhì)濃度低，所以空穴形成的電流非常小，近似分析時可忽略不計。

　　可見，擴散運動形成了發(fā)射極電流l2.擴散到基區(qū)的自由電子與空穴的復(fù)合運動形成基極電流I由于基區(qū)很薄，雜質(zhì)濃度很低，集電結(jié)又加了反向電壓，所以擴散到基區(qū)的電子中只有極少部分與空穴復(fù)合，其余部分均作為基區(qū)的非平衡少子達到集電結(jié)。

　　又由于電源V的作用，電子與空穴的復(fù)合運動將源源不斷地進行，形成基極電流。I。3.集電結(jié)加反向電壓，漂移運動形成集電極電流lc由于集電結(jié)加反向電壓且其結(jié)面積較大，基區(qū)的非平衡少子在外電場作用下越過集電結(jié)到達集電區(qū)，形成漂移電流。

      與此同時，集電區(qū)與基區(qū)的平衡少子也參與漂移運動，但它的數(shù)量很小，近似分析中可忽略不計?？梢姡诩姌O電源Vc的作用下，漂移運動形成集電極電流、I.