本應(yīng)用筆記介紹了 ISL73096RH/ISL73127RH/ISL73128RH 晶體管陣列，并重點(diǎn)介紹了采用這些特色晶體管陣列設(shè)計射頻放大器。本筆記提供了匹配（800 MHz 至 2500 MHz）高增益低噪聲放大器和 10 MHz 至 600 MHz 寬帶反饋放大器的完整設(shè)計流程。
    ISL73096RH、ISL73127RH 和 ISL73128RH 晶體管陣列采用互補(bǔ)雙極鍵合晶圓絕緣體上硅 (SOI) 技術(shù)（稱為 UHF-1）制造。所有這三種產(chǎn)品都使用相同的芯片，上面有 NPN 和 PNP 晶體管。圖 1 顯示了三種不同產(chǎn)品的引腳排列。

    圖 1 ISL73096RH、ISL73127RH、ISL73128RH 的引腳排列
    與結(jié)隔離相比，SOI 工藝具有較低的直流和交流寄生漏電流的優(yōu)點(diǎn)，這使得晶體管之間具有良好的隔離。此外，SOI 工藝可顯著降低集電極到襯底的電容、對器件之間任何可能的閂鎖的抗擾度以及卓越的抗輻射能力。
    ISL73127RH 用于兩級匹配（800 MHz 至 2500 MHz）高增益放大器設(shè)計，而 ISL73096RH 用于 10 MHz 至 600 MHz 寬帶反饋放大器。
    電路設(shè)計
    高增益低噪聲放大器
    RF 放大器的一項(xiàng)重要設(shè)計要求是輸入和輸出阻抗水平的控制。如果放大器要與匹配的源阻抗和負(fù)載阻抗連接，這一點(diǎn)尤其重要。

   

    圖 2 使用 ISL73127RH 實(shí)現(xiàn)的高增益低噪聲放大器
    根據(jù) S 參數(shù)測量，對于共發(fā)射極配置，ISL73127RH 的晶體管在很寬的頻率范圍內(nèi)在輸入側(cè)表現(xiàn)出預(yù)匹配條件。這些晶體管的封裝引線和鍵合線電感使輸入阻抗接近 50 Ω。當(dāng) IC = 5 mA – 10 mA、VCE = 2 V – 5 V 時，Q2 和 Q5 的輸入 VSWR 在 800 MHz 至 3000 MHz 頻率范圍內(nèi)小于 -10 dB。此外，對于這些晶體管，可以通過使用 100 Ω 電阻器繞過集電極來實(shí)現(xiàn)良好的輸出匹配，即頻率 300 MHz 至 3000 MHz 時輸出 VSWR < -10 dB。由于用 Q2 和 Q5 構(gòu)建的單級放大器均表現(xiàn)出良好的輸入和輸出匹配，因此它們可以級??聯(lián)以獲得更高的增益，而無需阻抗變換網(wǎng)絡(luò)。圖 2 顯示了終的兩級放大器。該電路的優(yōu)點(diǎn)是簡單。該設(shè)計不使用任何會增加電路成本的調(diào)諧電感器或電容器。此外，該電路通過級聯(lián)兩個由集成晶體管構(gòu)建的放大器級來實(shí)現(xiàn)更高的增益。