貿(mào)澤備貨Qorvo QPD0011 GaN-on-SiC HEMT 賦能4G和5G通信應(yīng)用
出處:中電網(wǎng) 發(fā)布于:2021-08-24 17:05:47
專注于引入新品并提供海量庫(kù)存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)即日起開(kāi)始備貨Qorvo QPD0011高電子遷移率晶體管(HEMT)。此碳化硅基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 晶體管性能優(yōu)異,可為5G大規(guī)模MIMO、LTE和WCDMA系統(tǒng)中的蜂窩基站和射頻應(yīng)用提供支持。
貿(mào)澤電子備貨的Qorvo QPD0011是一款非對(duì)稱雙路放大器,采用7.0 mm×6.5 mm小型DFN封裝。QPD0011具有30 W到60 W的可變輸入功率、+48 V的漏極電壓、3.3 GHz至.6 GHz的工作電壓,以及高達(dá)13.3 dB的增益,并能在Doherty設(shè)計(jì)環(huán)境中實(shí)現(xiàn)高達(dá)90 W的超高效信號(hào)峰值功率。
為了便于開(kāi)發(fā),Mouser還提供了配套的QPD0011EVB1評(píng)估板。此平臺(tái)包括一個(gè)示例應(yīng)用電路,在與現(xiàn)有設(shè)計(jì)結(jié)合使用時(shí)可加快原型設(shè)計(jì)速度。QPD0011適用于宏蜂窩小區(qū)和微小區(qū)基站、有源天線以及非對(duì)稱Doherty設(shè)計(jì)等應(yīng)用。
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