美國國家半導(dǎo)體公司（NaTIonalSemiconductorCorporaTIon推出的三款LMV83x系列全新運算放大器。該系列新品內(nèi)置抗電磁干擾濾波器，可以抑制射頻電波的干擾，有助于提高模擬系統(tǒng)的準(zhǔn)確性。LMV83x系列運算放大器的電磁干擾抑制比（EMIRR）高達120dB，為業(yè)界之  ，而且可減少電磁干擾（EMI）引致的信號錯誤。LMV83x運算放大器來自美國國家半導(dǎo)體PowerWise?高能效產(chǎn)品系列，單位增益帶寬高達3MHz，而供電電流只需240uA，換言之，該系列新品的功率/性能比高達80uA/MHz。

　　LMV831單組裝、LMV832雙組裝及LMV834四組裝運算放大器都具有極高的抗電磁干擾能力，因此設(shè)計者無需加裝金屬罩屏蔽、濾波器及其他元件，而且還節(jié)省了開發(fā)時間，縮小了電路板面積。  重要的一點是這幾款芯片都適用于噪聲干擾密集的環(huán)境。對于電磁干擾特別敏感的電話配件、醫(yī)療設(shè)備、高  重量計及個別行業(yè)專用的電子設(shè)備尤其適用。以重量計為例，射頻信號的干擾會產(chǎn)生高達1V的輸出電壓偏移，以致模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器的10位分辨率（1024個代碼）降至相當(dāng)于3位分辨率。若采用LMV83x系列運算放大器，分辨率只會降低0.2位。許多不同的電子設(shè)備，例如濾波器/緩沖器、光電二極管前置放大器及壓電傳感器，都可采用LMV83x系列放大器芯片，以提高其抗電磁干擾的能力。

　　美國國家半導(dǎo)體不久前曾分別推出單位增益帶寬高達8MHz的LMV851/52/54系列放大器及單位增益帶寬高達30MHz的LMV861/62系列放大器。而此次推出的LMV83x系列放大器是該公司同類芯片的  產(chǎn)品，均采用了美國國家半導(dǎo)體CMOS7  工藝技術(shù)，不僅能效  ，而且性能  。

　　為了方便工程師準(zhǔn)確評估運算放大器的抗電磁干擾能力，美國國家半導(dǎo)體專門為他們提供了一個以電磁干擾抑制比（EMIRR）為衡量基準(zhǔn)的參考指標(biāo)（參看應(yīng)用注解AN-1698，網(wǎng)址為）。工程師只需比較不同的數(shù)字，便可準(zhǔn)確評定運算放大器不同引腳的抗電磁干擾能力。美國國家半導(dǎo)體還提供評估電路板，幫助工程師加快整個設(shè)計過程。此外，工程師還可搭配使用美國國家半導(dǎo)體多款具有1LSB、串行外圍設(shè)備接口（SPI）的模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器，以及I2C接口的10位、12位模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器：ADC121SXX1、ADC101Sxx1、ADC122SXX1、ADC102Sxx1、ADC124SXX1、ADC104Sxx1、SPI接口的ADC108Sxx2及ADC128SXX2、以及I2C接口的ADC121C021和ADC101C021等。

　　抗電磁干擾能力極高的LMV831/32/34運算放大器--技術(shù)規(guī)格及特色

　　LMV831單組裝、LMV832雙組裝及LMV834四組裝運算放大器都可支持CMOS輸入，輸入偏移電壓不超過1mV，并設(shè)有軌到軌輸出級，包括接地電壓在內(nèi)的輸入共模電壓范圍。LMV83x系列芯片的共模抑制比（CMRR）及電源抑制比（PSRR）都同樣高達93dB，即使驅(qū)動200pF這樣大的電容負載，仍可發(fā)揮極高的穩(wěn)定性，而且還適用于攝氏-40度至125度的寬溫度范圍。LMV831芯片采用5引腳SC70封裝，LMV832芯片采用8引腳MSOP封裝，而LMV834芯片則采用14引腳TSSOP封裝。