這樣做可以使小板與 PCB 大板之間緊密貼合，不會(huì)有浮高現(xiàn)象。

　　17. 電路設(shè)計(jì)，肖特基的散熱片可以接到輸出正極線路，這樣鐵封的肖特基就不用絕緣墊和絕緣粒。

　　18. 電路調(diào)試，15W 以上功率的 RCD 吸收不要用 1N4007，因?yàn)?1N4007 速度慢 300uS，壓降也大1.3V，老化過程中溫度很高，容易失效造成炸機(jī)。

　　19. 電路調(diào)試，輸出濾波電容的耐壓致少需符合1.2倍余量，避勉量產(chǎn)有損壞現(xiàn)象。

　　之前是犯了這個(gè)很低級(jí)的錯(cuò)誤，14.5V 輸出用16V 耐壓電容，量產(chǎn)有1%的電容失效不良。

　　20. 電路設(shè)計(jì)，大電容或其它電容做成臥式時(shí)，底部如有跳線需放在負(fù)極電位，這樣跳線可以不用穿套管，節(jié)省成本。

　　21. 整流橋堆、二極管或肖特基，晶元大小元件承認(rèn)書或在 BOM 表要有描述，如67mil(理由：管控供應(yīng)商送貨一致性，避免供應(yīng)商偷工減料，影響產(chǎn)品效率)。

　　令人煩惱的就是供應(yīng)商做手腳，導(dǎo)致一整批試產(chǎn)的產(chǎn)品過不了六級(jí)能效，原因就是肖特基內(nèi)部晶元用小導(dǎo)致。

　　22. 電路設(shè)計(jì)，Snubber 電容，因?yàn)橛挟愐魡栴}，優(yōu)先使用 Mylar 電容，這是處理異音的方法之一。

　　23. 電路設(shè)計(jì)，啟動(dòng)電阻如果使用在整流前，要加串一顆幾百 K 的電阻。電阻短路時(shí),不會(huì)造成 IC 和 MOSFET 損壞。

　　24. 電路設(shè)計(jì)，高壓大電容并一顆103P 瓷片電容位置，理由：對(duì)輻射30-60MHz 都有一定的作用?？臻g允許的話，可以給 PCB Layout 留一個(gè)位置，方便 EMI 整改。

　　25. 在進(jìn)行 EMS 項(xiàng)目測試時(shí)，需測試出產(chǎn)品的  程序，直到產(chǎn)品損壞為止。

　　例如 ESD 雷擊等，一定要打到產(chǎn)品損壞為止，并做好相關(guān)記錄，看產(chǎn)品余量有多少，做到心中有數(shù)。

　　26. 電路設(shè)計(jì)，異常測試時(shí)，短路開路某個(gè)元件如果還有輸出電壓則要進(jìn)行 LPS 測試，過流點(diǎn)不能超過8A(超過 8A 是不能申請(qǐng) LPS)。

　　“電路圖”電路圖

　　27. 安規(guī)開殼樣機(jī)，所有可選插件元件要裝上供拍照用，L、N 線和 DC 線與 PCB 要點(diǎn)白膠固定。

　　這個(gè)是經(jīng)常犯的一個(gè)毛病，經(jīng)常一股勁的把樣品送到第三方機(jī)構(gòu)，后面來來回回改來改去的。

　　28. 電路調(diào)試，冷機(jī)時(shí) PSR 需1.15倍電流能開機(jī)，SSR 需1.3倍電流能開機(jī)，避免老化后啟動(dòng)不良。PSR 現(xiàn)在很多芯片都可以實(shí)現(xiàn) “零恢復(fù)” OCP 電流，比如 ME8327N，具有 “零恢復(fù)” OCP 電流功能。

　　29. 電路設(shè)計(jì)，請(qǐng)注意使用的 Y 電容總?cè)萘?不能超過222P, 因?yàn)橛新╇娏鞯挠绊?。針?duì)不同安規(guī)，漏電流要求也不一樣，在設(shè)計(jì)時(shí)需特別留意。

　　30. 反激拓補(bǔ)結(jié)構(gòu)，變壓器 B 值需小于3500高斯，如果變壓器飽和一切動(dòng)作將會(huì)失控，如下左圖為正常，右圖為飽和。

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　　變壓器的磁飽和一定要確認(rèn)，重中之重，這是首條安全性能保障，包括過流點(diǎn)的磁飽和、開機(jī)瞬間的磁飽和、輸出短路的磁飽和、高溫下的磁飽和、高低壓的磁飽和。