碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍（寬禁帶），達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍，高達3.2MV/cm.，其導熱率是硅的3.3倍，為49w/cm.k。

　　它與硅半導體材料一樣，可以制成結(jié)型器件、場效應(yīng)器件、和金屬與半導體接觸的肖特基二極管。

　　其優(yōu)點是：

　　（1）碳化硅單載流子器件漂移區(qū)薄，開態(tài)電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導通電阻，碳化硅功率器件的正向損耗小。

　?。?）碳化硅功率器件由于具有高的擊穿電場而具有高的擊穿電壓。例如，商用的硅肖特基的電壓小于300V，而  個商用的碳化硅肖特基二極管的擊穿電壓已達到600V。

　?。?）碳化硅有高的熱導率，因此碳化硅功率器件有低的結(jié)到環(huán)境的熱阻。

　?。?）碳化硅器件可工作在高溫，碳化硅器件已有工作在600?C的報道，而硅器件的  工作溫度僅為150?C.

　?。?）碳化硅具有很高的抗輻照能力。

　?。?）碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時間的變化很小，可靠性好。

　?。?）碳化硅器件具有很好的反向恢復(fù)特性，反向恢復(fù)電流小，開關(guān)損耗小。碳化硅功率器件可工作在高頻（》20KHz）。

　?。?）碳化硅器件為減少功率器件體積和降低電路損耗作出了重要貢獻。

　　碳化硅肖特基二極管的應(yīng)用

　　SiC肖特基二極管主要應(yīng)用于混合動力、光伏逆變器、礦機電源、電焊機和充電樁。

　　碳化硅肖特基二極管（SiCSBD）是一種單極型器件，采用結(jié)勢壘肖特基二極管結(jié)構(gòu)（JBS），因此相比于傳統(tǒng)的硅快恢復(fù)二極管（SiFRD），碳化硅肖特基二極管具有理想的反向恢復(fù)特性?？梢杂行Ы档头聪蚵╇娏?，具備更好的耐高壓能力。另一個重要的特點是碳化硅肖特基二極管具有正的溫度系數(shù)，隨著溫度的上升電阻也逐漸上升，這與硅FRD正好相反。這使得碳化硅肖特基二極管非常適合并聯(lián)實用，增加了系統(tǒng)的安全性和可靠性。在器件從正向?qū)ㄏ蚍聪蜃钄噢D(zhuǎn)換時，幾乎沒有反向恢復(fù)電流，反向恢復(fù)時間小于20ns，甚至600V10A的碳化硅肖特基二極管的反向恢復(fù)時間在10ns以內(nèi)。因此碳化硅肖特基二極管可以工作在更高的頻率，在相同頻率下具有更高的效率。

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