降額等級(jí)描述

　　降額等級(jí)的劃分通常元器件有一個(gè)降額范圍。在此范圍內(nèi)，元器件工作應(yīng)力的降低對(duì)其失效率的下降有顯著的改善，設(shè)備的設(shè)計(jì)易于實(shí)現(xiàn)，且不必在設(shè)備的重量、體積、成本方面付出大的代價(jià)。應(yīng)按設(shè)備可靠性要求、設(shè)計(jì)的成熟性、維修費(fèi)用和難易程度、安全性要求，以及對(duì)設(shè)備重量和尺寸的限制等 因素，綜合權(quán)衡確定其降額等級(jí)。

　　在降額范圍內(nèi)推薦采用三個(gè)降額等級(jí)。

　　a) I 級(jí)降額I 級(jí)降額是的降額，對(duì)元器件使用可靠性的改善。超過它的更大降額，通常對(duì)元器件可靠性的提高有限，且可能使設(shè)備設(shè)計(jì)難以實(shí)現(xiàn)。I 級(jí)降額適用于下述情況：設(shè)備的失效將導(dǎo)致人員傷亡或裝備與保障設(shè)施的嚴(yán)重破壞；

　　對(duì)設(shè)備有高可靠性要求，且采用新技術(shù)、新工藝的設(shè)計(jì)；由于費(fèi)用和技術(shù)原因，設(shè)備失效后無法或不宜維修；系統(tǒng)對(duì)設(shè)備的尺寸、重量有苛刻的限制。

　　b)II 級(jí)降額II 級(jí)降額是中等降額，對(duì)元器件使用可靠性有明顯改善。II 級(jí)降額在設(shè)計(jì)上較 I 級(jí)降額易于實(shí)現(xiàn)。II 級(jí)降額適用于下述情況：設(shè)備的失效將可能引起裝備與保障設(shè)施的損壞；有高可靠性要求，且采用了某些專門的設(shè)計(jì)；需支付較高的維修費(fèi)用。

　　c) III 級(jí)降額III 級(jí)降額是的降額，對(duì)元器件使用可靠性改善的相對(duì)效益，但可靠性改善的效果不如 I 級(jí)和 II 級(jí)降額。III 級(jí)降額在設(shè)計(jì)上易實(shí)現(xiàn)。III 級(jí)降額適用于下述情況：設(shè)備失效不會(huì)造成人員和設(shè)施的傷亡和破壞；設(shè)備采用成熟的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)。

　　電阻器降額規(guī)范    穩(wěn)態(tài)功率與瞬態(tài)功率

　　穩(wěn)態(tài)功率

　　功率降額是在相應(yīng)的工作溫度下的降額，即是在元件符合曲線所規(guī)定環(huán)境溫度下的功率的進(jìn)一步降額，采用P=V?/R公式進(jìn)行計(jì)算。

　　為了保證電阻器的正常工作，各種型號(hào)的電阻廠家都通過試驗(yàn)確定了相應(yīng)的降功率曲線，因此在使用過程中，必須嚴(yán)格按照降功率曲線使用電阻器。

　　當(dāng)環(huán)境溫度定于額定溫度時(shí)（T<Ts）可以施加60%額定功率，不需要考慮溫度降額。當(dāng)環(huán)境溫度高于額定溫度的時(shí)候，需要考慮溫度降額，應(yīng)該進(jìn)一步降額功耗使用，

　　P=PR(0.6+(Ts-T)/(Tmax-Ts))

　　PR是額定功耗；

　　T是環(huán)境溫度；

　　Tmax是零功耗時(shí)環(huán)境溫度。

　　瞬態(tài)功耗

　　不同廠家，電阻脈沖功耗和穩(wěn)態(tài)功率的轉(zhuǎn)換曲線不同，具體應(yīng)用時(shí)，要查詢轉(zhuǎn)換缺陷，將瞬態(tài)功率轉(zhuǎn)換為穩(wěn)態(tài)功率，然后在此基礎(chǔ)上降額。

　　廠家額定環(huán)境溫度為70℃，低于這個(gè)溫度的時(shí)候，直接按照60%進(jìn)行降額。當(dāng)超過這個(gè)溫度的時(shí)候，額定曲線是一個(gè)斜線。降額曲線也按照，溫度的降額為121℃，然后繪制一條紅色的斜線，按照斜線進(jìn)行降額。

　　瞬態(tài)降額 只要時(shí)間足夠短，電阻可以承受比額定功率大得多的瞬態(tài)功率。要參考廠家資料中的過負(fù)荷電壓參數(shù)，再在此基礎(chǔ)上降額。

　　瞬態(tài)功耗，又要按照單脈沖和多脈沖，分別進(jìn)行討論和分析。

　　單脈沖：

　　多脈沖：

　　1、合成型電阻器

　　1.1 概述

　　合成型電阻器件體積小，過負(fù)荷能力強(qiáng)，但它們的阻值穩(wěn)定性差，熱和電流噪聲大，電壓與溫度系數(shù)較大。

　　合成型電阻器的主要降額參數(shù)是環(huán)境溫度、功率和電壓。

　　1.2 應(yīng)用指南

　　a) 合成型電阻為負(fù)溫度和負(fù)電壓系數(shù)，易于燒壞。因此限制其電壓是必須的。

　　b) 在潮濕環(huán)境下使用的合成型電阻器，不宜過度降額。否則潮氣不能揮發(fā)將可能使

　　電阻器變質(zhì)失效。

　　c) 熱點(diǎn)溫度過高可能導(dǎo)致合成型電阻器內(nèi)部的電阻材料性損傷。

　　d) 為保證電路長(zhǎng)期工作的可靠性， 電路設(shè)計(jì)應(yīng)允許合成型電阻器有±15%的阻值容差。

　　1.3 降額準(zhǔn)則

　　合成型電阻器的降額準(zhǔn)則見下表。

　　合成型電阻器降額準(zhǔn)則

　　2、薄膜型電阻器

　　2.1 概述

　　薄膜型電阻器按其結(jié)構(gòu)，主要有金屬氧化膜電阻器和金屬膜電阻器兩種。

　　薄膜型電阻器的高頻特性好，電流噪聲和非線性較小，阻值范圍寬，溫度系數(shù)小，性能穩(wěn)定，是使用廣泛的一類電阻器。

　　薄膜型電阻器降額的主要參數(shù)是電壓、功率和環(huán)境溫度。

　　2.2 應(yīng)用指南

　　a) 各種金屬氧化膜電阻器在高頻工作情況下， 阻值均會(huì)下降 （見元件相關(guān)詳細(xì)規(guī)范） 。

　　b) 為保證電路長(zhǎng)期工作的可靠性，設(shè)計(jì)應(yīng)允許薄膜型電阻器有一定的阻值容差，金屬膜電阻器為±2%，金屬氧化膜電阻器為±4%，碳膜電阻器為±15%。

　　2.3 降額準(zhǔn)則

　　3、電阻網(wǎng)絡(luò)

　　3.1 概述

　　電阻網(wǎng)絡(luò)裝配密度高，各元件間的匹配性能和跟蹤溫度系數(shù)好，對(duì)時(shí)間、溫度的穩(wěn)定性好。

　　電阻網(wǎng)絡(luò)降額的主要參數(shù)是功率、電壓和環(huán)境溫度。

　　3.2 應(yīng)用指南

　　為保證電路長(zhǎng)期工作的可靠性，設(shè)計(jì)中應(yīng)允許電阻網(wǎng)絡(luò)有±2%的阻值容差。

　　3.3 降額準(zhǔn)則

　　4、線繞電阻器

　　4.1 概述

　　線繞電阻器分精密型與功率型。線繞電阻器具有可靠性高、穩(wěn)定性好、無非線性，以及電流噪聲、溫度和電壓系數(shù)小的優(yōu)點(diǎn)。

　　線繞電阻器降額的主要參數(shù)是功率、電壓和環(huán)境溫度。

　　4.2 應(yīng)用指南

　　a) 在 II 級(jí)降額應(yīng)用條件下，不采用繞線直徑小于 0.025mm 的電阻器。

　　b) 功率型線繞電阻器可以經(jīng)受比穩(wěn)態(tài)工作電壓高得多的脈沖電壓， 但在使用中應(yīng)作相應(yīng)的降額。見附錄 D（參考件）。

　　c) 功率型線繞電阻器的額定功率與電阻器底部散熱面積有關(guān)， 在降額設(shè)計(jì)中應(yīng)考慮此因素。見附錄 E（參考件）。

　　d) 為保證電路長(zhǎng)期工作的可靠性，設(shè)計(jì)應(yīng)允許線繞電阻器有一定的阻值容差：精密型線繞電阻器為 ±0.4％；功率型線繞電阻器為 ±1.5％。

　　4.3 降額準(zhǔn)則

　　5、 熱敏電阻器

　　5.1 概述

　　敏電阻器具有很高的電阻—溫度系數(shù)（正或負(fù)的）。

　　敏電阻器降額的主要參數(shù)是額定功率和環(huán)境溫度。

　　5.6.5.2 應(yīng)用指南

　　a) 負(fù)溫度系數(shù)型熱敏電阻器，應(yīng)采用限流電阻器，防止元件熱失控。

　　b) 任何情況下，即使是短時(shí)間也不允許超過電阻器額定電流和功率。

　　c) 為保證電路長(zhǎng)期可靠性的工作，設(shè)計(jì)應(yīng)允許熱敏電阻器阻值有±5％的容差。

　　4.3 降額準(zhǔn)則

　　磁性器件的降額規(guī)范

　　部件類型

　　降額參數(shù)

　　降額要求

　　嚴(yán)酷條件

　　一般條件

　　音頻變壓器

　　功率變壓器

　　脈沖變壓器

　　脈沖電流（%額定值）

　　脈沖電壓（%額定值）

　　熱點(diǎn)溫度（℃）

　　90%

　　90%

　　Tmax-25℃

　　<100%

　　<100%

　　Tmax-25℃

　　射頻線圈

　　電感

　　直流電流（%額定值）

　　熱點(diǎn)溫度（℃）

　　90%

　　Tmax-25℃

　　<100%

　　Tmax-25℃

　　電感

　　1 概述

　　電感元件包括各種線圈和變壓器。電感元件降額的主要參數(shù)是工作電流、熱點(diǎn)溫度。

　　5.9.2 應(yīng)用指南

　　a) 為防止絕緣擊穿，線圈的繞組電壓應(yīng)維持在額定值。

　　b) 工作在低于其設(shè)計(jì)頻率范圍的電感元件會(huì)產(chǎn)生過熱和可能的磁飽和， 使元件的工作壽命縮短，甚至導(dǎo)致線圈絕緣破壞。

　　功率電感器的額定電流有兩種，它們之間的差異是什么呢？

　　兩種額定電流

　　功率電感器的額定電流有"基于自我溫度上升的額定電流"和"基于電感值的變化率的額定電流"兩種決定方法，分別具有重要的意義。"基于自我溫度上升的額定電流"是以元件的發(fā)熱量為指標(biāo)的額定電流規(guī)定，超出該范圍使用時(shí)可能會(huì)導(dǎo)致元件破損及組件故障。

　　與此同時(shí)，"基于電感值的變化率的額定電流"是以電感值的下降程度為指標(biāo)的額定電流規(guī)定，超出該范圍使用時(shí)可能會(huì)由于紋波電流的增加而導(dǎo)致IC控制不穩(wěn)定。此外，根據(jù)電感器的磁路構(gòu)造的不同，磁飽和的傾向（即電感值的下降傾向）有所不同。圖1是表示不同磁路構(gòu)造所導(dǎo)致的電感值的變化的示意圖。對(duì)于開磁路類型，隨著直流電流的增加，到規(guī)定電流值為止呈現(xiàn)比較平坦的電感值，但以規(guī)定電流值為境界電感值急劇下降。相反，閉磁路類型隨著直流電流的增加，透磁率的數(shù)值逐漸減少，因此電感值緩慢下降。

　　功率電感規(guī)格書中對(duì)額定電流參數(shù)僅注明介質(zhì)的飽和電流Isat值。

　　Isat與rms的區(qū)別

　　Isat與Irms是我們工程人員常常會(huì)碰到的技術(shù)術(shù)語，但因有些客戶的問題，時(shí)常將兩者混淆，造成工程技術(shù)上的錯(cuò)誤。Isat與Irms兩者分別表示什么，中文又是指什么? Isat與Irms兩者如何定義，它們與那些因素有關(guān)?我們?cè)陔姼性O(shè)計(jì)時(shí)，如何定義?

　　Isat：指磁介質(zhì)的飽和電流，在下圖B-H曲線中，是指磁介質(zhì)達(dá)到Bm對(duì)應(yīng)的Hm所需的DC電流量的大小，對(duì)于電感，即電感下降到一定比例后的電流大小，如SRI1207-4R7M產(chǎn)品，電感下跌20%的電流為8.4A，則Isat=8.4A。Isat計(jì)算公式如下：

　　設(shè)截面積為S、長(zhǎng)為l，磁導(dǎo)率為μ的鐵環(huán)上，繞以緊密的線圈N匝，線圈中通過的電流為I。則依磁路定律:

　　Hl/0.4π=NI=0.7958Hl

　　對(duì)于同一材質(zhì)及呎吋的鐵芯Hl依B-H曲線進(jìn)行變化，但在同一斜率下，Hl是不變的，因此:

　　N1*I1=Hl/0.4π=N2*I2

　　即:

　　N1/N2=I2/I1

　　Irms：指電感產(chǎn)品的應(yīng)用額定電流，也稱為溫升電流，即產(chǎn)品應(yīng)用時(shí)，表面達(dá)到一定溫度時(shí)所對(duì)應(yīng)的DC電流。

　　以下是以2520系列中的4.7uH疊層功率電感為例對(duì)比說明業(yè)界目前對(duì)電感器額定電流Irat、飽和電流Isat以及溫升電流Irms標(biāo)識(shí)狀況。

　　疊層功率電感（鐵氧體大電流電感）參數(shù)比對(duì)表

　　現(xiàn)狀會(huì)誤導(dǎo)工程師選型，產(chǎn)生隱患；

　　目前有相當(dāng)部分疊層功率電感生產(chǎn)廠家對(duì)其產(chǎn)品額定電流規(guī)格都是沿用傳統(tǒng)信號(hào)濾波處理用疊層電感額定電流標(biāo)準(zhǔn)來定義，其根據(jù)電感的溫升電流值來定義其額定工作電流。這種情況下產(chǎn)品設(shè)計(jì)工程師往往會(huì)按照傳統(tǒng)功率電感選型經(jīng)驗(yàn)并根據(jù)供應(yīng)商電感規(guī)格書上定義的額定電流值來衡量其實(shí)際電路中的額定工作電流，這樣一來很可能會(huì)導(dǎo)致因電感飽和電流低于電路的實(shí)際工作電流，會(huì)存在如下隱患：

　　A). 電感實(shí)際工作時(shí)因電流過大導(dǎo)致飽和，引起電感量下降幅度過大造成電流紋波超出后級(jí)電路允許規(guī)格范圍造成電路干擾，從而無法正常工作甚至損壞；

　　B).電路中實(shí)際工作電流超過電感的飽和電流有可能會(huì)因電感飽和電感量下降產(chǎn)生機(jī)械或電子噪音；

　　C).電路中實(shí)際工作電流超過電感的飽和電流會(huì)導(dǎo)致因電感飽和，其電感量下降引起電源帶負(fù)載時(shí)輸出電壓&電流不穩(wěn)定，造成其它單元電路系統(tǒng)死機(jī)等不穩(wěn)定異常情形;

　　D).電感額定電流（包括飽和和溫升電流）選擇余量不足會(huì)導(dǎo)致其工作時(shí)表面溫度過高、整機(jī)效率降低、加速電感本身或整機(jī)老化使其壽命縮短.

　　降額選型時(shí)，我們選擇兩個(gè)額定電流中小的那個(gè)進(jìn)行降額。

　　3 降額準(zhǔn)則

　　電感元件的熱點(diǎn)溫度額定值與線圈線組的絕緣性能、工作電流、瞬態(tài)初始電流及介質(zhì)

　　耐壓有關(guān)。

　　注：

　　1） THS 為額定熱點(diǎn)溫度。

　　2）只適用于扼流圈。

　　磁珠

　　磁珠主要用于EMI差模噪聲抑制，他的直流阻抗很小，在高頻下卻有較高阻抗，一般說的600R是指100MHZ測(cè)試頻率下的阻抗值。選擇磁珠應(yīng)考慮兩方面：一是電路中噪聲干擾的情況，二是需要通過的電流大小。要大概了解噪聲的頻率、強(qiáng)度，不同的磁珠的頻率阻抗曲線是不同的，要選在噪聲中心頻率磁珠阻抗較高的那種。噪聲干擾大的要選阻抗高一點(diǎn)的，但并不是阻抗越高越好，因?yàn)樽杩乖礁逥CR也越高，對(duì)有用信號(hào)的衰減也越大。但一般也沒有很明確的計(jì)算和選擇的標(biāo)準(zhǔn)，主要看實(shí)際使用的效果，120R-600R之間都很常用。然后要看通過電流大小，如果用在電源線部分則要選額定電流較大的型號(hào)，用在信號(hào)線部分則一般額定電流要求不高。另外磁珠一般是阻抗越大額定電流越小。

　　磁珠的選擇要根據(jù)實(shí)際情況來進(jìn)行。比如對(duì)于3.3V、300mA電源，要求3.3V不能低于3.0V，那么磁珠的直流電阻DCR就應(yīng)該小于1R，這種情況一般選擇0.5R，放置參數(shù)漂移。對(duì)噪聲的抑止能力來說，如果要求對(duì)于100MHZ的、300mVpp的噪聲，經(jīng)過磁珠以后達(dá)到50mVpp的水平，假設(shè)負(fù)載為45歐姆，那么就應(yīng)該選擇225R@100Mhz,DCR<1R的磁珠

　　樓上的,45歐的阻抗是怎么估計(jì)出來的?225R又是怎么算出來的？

　　(45ohm/50mV)*250mV=225ohm

　　首先你要知道你要濾除的噪聲的頻段，然后選一個(gè)在該頻段選一個(gè)合適的阻抗（實(shí)際的可以通過仿真得出大概要多大，仿真模型可以向廠商要），第二步確定該電路通過的電流，電路流過的電流確定了也意味著你要選多大額定電流的磁珠，接下來是確定磁珠的DCR（直流阻抗），根據(jù)后電路電壓供電的范圍就能算出允許的磁珠的DCR的范圍。封裝的話自己看著辦了。提醒一下啊，磁珠的阻抗在你加電壓后和規(guī)格書上的有點(diǎn)差別

　　要正確的選擇磁珠，必須注意以下幾點(diǎn)：

　　1、不需要的信號(hào)的頻率范圍為多少；

　　2、噪聲源是誰；

　　3、需要多大的噪聲衰減；

　　4、環(huán)境條件是什么（溫度，直流電壓，結(jié)構(gòu)強(qiáng)度）；

　　5、電路和負(fù)載阻抗是多少；

　　6、是否有空間在PCB板上放置磁珠；前三條通過觀察廠家提供的阻抗頻率曲線就可以判斷。

　　在阻抗曲線中三條曲線都非常重要，即電阻，感抗和總阻抗?？傋杩雇ㄟ^ZR22πfL()2+:=fL來描述。典型的阻抗曲線如下圖所示：通過這一曲線，選擇在希望衰減噪聲的頻率范圍內(nèi)具有阻抗而在低頻和直流下信號(hào)衰減盡量小的磁珠型號(hào)。片式磁珠在過大的直流電壓下，阻抗特性會(huì)受到影響，另外，如果工作溫升過高，或者外部磁場(chǎng)過大，磁珠的阻抗都會(huì)受到不利的影響。使用片式磁珠和片式電感的原因：是使用片式磁珠還是片式電感主要還在于應(yīng)用。在諧振電路中需要使用片式電感。而需要消除不需要的EMI噪聲時(shí)，使用片式磁珠是的選擇。片式磁珠和片式電感的應(yīng)用場(chǎng)合：片式電感：射頻（RF）和無線通訊，信息技術(shù)設(shè)備，雷達(dá)檢波器，汽車電子，蜂窩電話，尋呼機(jī)，音頻設(shè)備，PDAs（個(gè)人數(shù)字助理），無線遙控系統(tǒng)以及低壓供電模塊等。片式磁珠：時(shí)鐘發(fā)生電路，模擬電路和數(shù)字電路之間的濾波，I/O輸入/輸出內(nèi)部連接器（比如串口，并口，鍵盤，鼠標(biāo)，長(zhǎng)途電信，本地局域網(wǎng)），射頻（RF）電路和易受干擾的邏輯設(shè)備之間，供電電路中濾除高頻傳導(dǎo)干擾，計(jì)算機(jī)，打印機(jī)，錄像機(jī)（VCRS）,電視系統(tǒng)和手提電話中的EMI噪聲抑止。在產(chǎn)品數(shù)字電路EMC設(shè)計(jì)過程中，我們常常會(huì)使用到磁珠，那么磁珠濾波的原理以及如何使用呢？

　　鐵氧體材料是鐵鎂合金或鐵鎳合金，這種材料具有很高的導(dǎo)磁率，他可以是電感的線圈繞組之間在高頻高阻的情況下產(chǎn)生的電容。鐵氧體材料通常在高頻情況下應(yīng)用，因?yàn)樵诘皖l時(shí)他們主要程電感特性，使得線上的損耗很小。在高頻情況下，他們主要呈電抗特性比并且隨頻率改變。實(shí)際應(yīng)用中，鐵氧體材料是作為射頻電路的高頻衰減器使用的。實(shí)際上，鐵氧體較好的等效于電阻以及電感的并聯(lián)，低頻下電阻被電感短路，高頻下電感阻抗變得相當(dāng)高，以至于電流全部通過電阻。鐵氧體是一個(gè)消耗裝置，高頻能量在上面轉(zhuǎn)化為熱能，這是由他的電阻特性決定的。

　　鐵氧體磁珠與普通的電感相比具有更好的高頻濾波特性。鐵氧體在高頻時(shí)呈現(xiàn)電阻性，相當(dāng)于品質(zhì)因數(shù)很低的電感器，所以能在相當(dāng)寬的頻率范圍內(nèi)保持較高的阻抗，從而提高高頻濾波效能。

　　在低頻段，阻抗由電感的感抗構(gòu)成，低頻時(shí)R很小，磁芯的磁導(dǎo)率較高，因此電感量較大，L起主要作用，電磁干擾被反射而受到抑制；并且這時(shí)磁芯的損耗較小，整個(gè)器件是一個(gè)低損耗、高Q特性的電感，這種電感容易造成諧振因此在低頻段，有時(shí)可能出現(xiàn)使用鐵氧體磁珠后干擾增強(qiáng)的現(xiàn)象。

　　在高頻段，阻抗由電阻成分構(gòu)成，隨著頻率升高，磁芯的磁導(dǎo)率降低，導(dǎo)致電感的電感量減小，感抗成分減小 但是，這時(shí)磁芯的損耗增加，電阻成分增加，導(dǎo)致總的阻抗增加，當(dāng)高頻信號(hào)通過鐵氧體時(shí)，電磁干擾被吸收并轉(zhuǎn)換成熱能的形式耗散掉。

　　鐵氧體抑制元件廣泛應(yīng)用于印制電路板、電源線和數(shù)據(jù)線上。如在印制板的電源線入口端加上鐵氧體抑制元件，就可以濾除高頻干擾。鐵氧體磁環(huán)或磁珠專用于抑制信號(hào)線、電源線上的高頻干擾和尖峰干擾，它也具有吸收靜電放電脈沖干擾的能力。

　　使用片式磁珠還是片式電感主要還在于實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)合。在諧振電路中需要使用片式電感。而需要消除不需要的EMI噪聲時(shí)，使用片式磁珠是的選擇。片式磁珠和片式電感的應(yīng)用場(chǎng)合：片式電感：射頻（RF）和無線通訊，信息技術(shù)設(shè)備，雷達(dá)檢波器，汽車電子，蜂窩電話，尋呼機(jī)，音頻設(shè)備，，無線遙控系統(tǒng)以及低壓供電模塊等。片式磁珠：時(shí)鐘發(fā)生電路，模擬電路和數(shù)字電路之間的濾波，I/O輸入/輸出內(nèi)部連接器（比如串口，并口，鍵盤，鼠標(biāo)，長(zhǎng)途電信，本地局域網(wǎng)），射頻（RF）電路和易受干擾的邏輯設(shè)備之間，供電電路中濾除高頻傳導(dǎo)干擾，計(jì)算機(jī)，打印機(jī)，錄像機(jī)（VCRS）,電視系統(tǒng)和手提電話中的EMI噪聲抑止。

　　磁珠的單位是歐姆，因?yàn)榇胖榈膯挝皇前凑账谀骋活l率產(chǎn)生的阻抗來標(biāo)稱的，阻抗的單位也是歐姆。磁珠的DATASHEET上一般會(huì)提供頻率和阻抗的特性曲線圖，一般以100MHz為標(biāo)準(zhǔn)，比如是在100MHz頻率的時(shí)候磁珠的阻抗相當(dāng)于1000歐姆。針對(duì)我們所要濾波的頻段需要選取磁珠阻抗越大越好，通常情況下選取600歐姆阻抗以上的。

　　另外選擇磁珠時(shí)需要注意磁珠的通流量，一般需要降額80％處理，用在電源電路時(shí)要考慮直流阻抗對(duì)壓降影響。

　　電容的降額規(guī)范

　　非固體鋁電解電容器降額規(guī)范

　　器件應(yīng)力考核點(diǎn)：正向電壓（浪涌電壓）；反向電壓；紋波電流；預(yù)期壽命

　　1 器件簡(jiǎn)述

　　非固體鋁電解電容器的工作介質(zhì)是在金屬鋁極箔表面用電解法生成的一層金屬氧化物──三氧化二鋁（Al2O3），之所以稱為非固體，是因?yàn)殇X電容器的負(fù)極是由液體（也稱作電解液）充當(dāng)?shù)?。鋁電解電容器的結(jié)構(gòu)圖如下：

　　鋁電解電容器結(jié)構(gòu)圖

　　從結(jié)構(gòu)圖可以看到，電容器的芯子是由一層正極箔，一層間隔紙（電解液就浸在間隔紙上，故也稱作電解紙），一層負(fù)極箔，再一層間隔紙卷繞而成，正負(fù)極箔分別鉚接上引線以連接到電路中。電容器芯子用鋁外殼和橡膠塞密封后，再套上熱縮套管，就構(gòu)成了完整的電容器，熱縮套管上已印刷了用以識(shí)別電容器的商標(biāo)、額定電壓、標(biāo)準(zhǔn)容量、容量誤差、工作溫度、廠家型號(hào)、負(fù)極標(biāo)志等內(nèi)容。

　　鋁電解電容器在電路中主要起濾波、隔直、穩(wěn)壓的作用，實(shí)際制造出來的電容器在電路中使用時(shí)并不是理想的元件，含有ESR和ESL，其等效電路圖如下：

　　ESR的存在是電容器工作時(shí)發(fā)熱的主要原因，它不但決定了流過電容器的紋波電流的大小，更是影響電容器實(shí)際使用壽命的重要因素。鋁電解電容器的芯子是卷繞而成的，所以有ESL的存在，它決定了鋁電解電容器工作頻率不能太高，否則就沒有濾波效果，鋁電解的工作頻率一般在幾十Hz~~100KHz。鋁電解電容器是有極性的，在應(yīng)用時(shí)絕不能反接。

　　2 器件常見失效模式及降額點(diǎn)選取說明

　　相對(duì)于其它阻容器件來講，鋁電解電容器因含有液體作負(fù)極材料，所以失效率相對(duì)較高，且有嚴(yán)格的壽命要求，這在設(shè)計(jì)選型時(shí)需考慮。鋁電解常見的失效模式有：短路，開路，電參數(shù)性能劣化，防爆閥開裂，漏液。

　　從鋁電解電容器應(yīng)用過程中的失效原因看，主要有以下三種：

　　◆電應(yīng)力引起的失效：

　　·過電壓：電介質(zhì)擊穿，嚴(yán)重時(shí)會(huì)起火。

　　·反壓現(xiàn)象：嚴(yán)重時(shí)會(huì)爆炸起火。

　　·紋波電流過大：內(nèi)部溫升過高，介質(zhì)遭到破壞，電解液干涸，壽命縮短。

　　◆ 熱應(yīng)力引起的失效

　　·過高的環(huán)境溫度，導(dǎo)致材料性能的蛻化或劣化，電解液揮發(fā)，壽命縮短。

　　·不適當(dāng)?shù)暮附訜釠_擊。

　　◆ 機(jī)械應(yīng)力引起的失效

　　·引腳間距與PCB板間距不匹配造成外應(yīng)力損傷。

　　·沖擊和震動(dòng)造成的機(jī)械應(yīng)力損傷。

　　·單板加工時(shí)電容內(nèi)部受傷。

　　綜上所述，對(duì)鋁電解電容器降額考核點(diǎn)主要有4個(gè)方面：正向電壓（浪涌電壓）；反向電壓；紋波電流；預(yù)期壽命。

　　3  器件應(yīng)力限制

　　3.1  正向電壓；浪涌電壓

　　在I、II工作區(qū)壞應(yīng)力情況下，正向電壓（I區(qū)），浪涌電壓（II區(qū)）降額必須滿足下表：

　　應(yīng)力考核點(diǎn)

　　產(chǎn)品工作區(qū)

　　B級(jí)產(chǎn)品

　　A級(jí)產(chǎn)品

　　正向電壓

　　I工作區(qū)壞情況

　　90%

　　90%

　　浪涌電壓

　　II工作區(qū)壞情況

　　100%

　　100%

　　說明：1. 對(duì)于450V電壓檔次的鋁電解，考慮到電壓選型及成本、尺寸問題，在應(yīng)用于PFC電路時(shí)，I工作區(qū)電壓降額允許95％。

　　2. 計(jì)算電容器壽命時(shí)，應(yīng)考核工作電壓對(duì)壽命的影響，電壓降額對(duì)壽命的影響系數(shù)如下：

　　電壓降額

　　KVOLTAGE

　　> 90%

　　0.8

　　90%~80%

　　0.9

　　< 80%

　　1

　　壽命計(jì)算的具體方法見附件：《非固體鋁電解電容器應(yīng)力降額操作指導(dǎo)書》。

　　3.2 反向電壓

　　在I、II工作區(qū)壞應(yīng)力情況下，施加在鋁電解電容兩端的反向電壓必須滿足下表：

　　應(yīng)力考核點(diǎn)

　　產(chǎn)品工作區(qū)

　　B級(jí)產(chǎn)品

　　A極產(chǎn)品

　　反向電壓

　　I工作區(qū)壞情況

　　不允許施加反向電壓

　　II工作區(qū)壞情況

　　≤0.5V

　　3.3  紋波電流

　　允許實(shí)際工作紋波電流值超過手冊(cè)規(guī)定的額定值，但必須限制在下表規(guī)定的范圍內(nèi)，同時(shí)應(yīng)考核紋波電流對(duì)壽命的影響。即在滿足壽命的前提下，允許紋波電流超過額定值使用。具體規(guī)定見下表：

　　應(yīng)用場(chǎng)合

　　電容器分類

　　應(yīng)力考核點(diǎn)

　　產(chǎn)品工作區(qū)

　　B級(jí)產(chǎn)品

　　A級(jí)產(chǎn)品

　　濾波

　　SCREW-TYPE

　　紋波電流

　　I工作區(qū)

　　壞情況

　　220％額定值

　　200％額定值

　　SNAP-IN 105℃

　　220％額定值

　　200％額定值

　　SNAP-IN  85℃

　　200％額定值

　　180％額定值

　　RADIAL-LEAD

　　150％額定值

　　130％額定值

　　其它場(chǎng)合

　　100％額定值

　　100％額定值

　　說明：1．紋波電流額定值，是指廠家手冊(cè)中規(guī)定的電容在工作環(huán)境溫度下，頻率為120Hz時(shí)的紋波電流有效值，如實(shí)際應(yīng)用中有多個(gè)頻率下的紋波電流，可轉(zhuǎn)換成120Hz下的等效值。

　　2．在實(shí)際考核紋波電流時(shí)，如果：

　　2.2倍額定紋波電流≥實(shí)測(cè)紋波電流≥額定紋波電流, 加上有其它發(fā)熱器件或強(qiáng)迫風(fēng)冷影響，不能僅以紋波電流來計(jì)算溫升,需測(cè)試電容器的芯子溫升來考核電容器的壽命。

　　3．如果有多個(gè)電容器并聯(lián)使用，測(cè)試應(yīng)力嚴(yán)重的那個(gè)電容的紋波電流作為考核依據(jù)。

　　3.4 預(yù)期壽命

　　當(dāng)設(shè)備在規(guī)定的工作環(huán)境溫度下滿載運(yùn)行，同時(shí)滿足其他正常條件下（如按手冊(cè)規(guī)定的安裝方式、正常的輸入、輸出范圍等），鋁電解電容的預(yù)期壽命必須大于下列值：

　　應(yīng)力考核點(diǎn)

　　B級(jí)產(chǎn)品

　　A級(jí)產(chǎn)品

　　I區(qū)壞情況預(yù)期壽命

　　≥1年

　　≥2年

　　額定情況預(yù)期壽命

　　≥產(chǎn)品規(guī)格書規(guī)定值

　　注：1年=8760小時(shí)

　　鋁電解電容的預(yù)期壽命主要與電容的工作環(huán)境溫度、紋波電流(紋波電流發(fā)熱引起的溫升)以及工作電壓有關(guān)。

　　鉭電容降額規(guī)范

　　MnO2鉭電容

　　耐壓

　　穩(wěn)態(tài)

　　50%

　　瞬態(tài)

　　55%

　　環(huán)境溫度

　　穩(wěn)態(tài)

　　≤Tmax-20℃

　　瞬態(tài)

　　反向電壓

　　穩(wěn)態(tài)

　　禁止

　　瞬態(tài)

　　≤2%額定電壓

　　電壓變化率

　　穩(wěn)態(tài)

　　≤15V/ms

　　瞬態(tài)

　　紋波電路

　　環(huán)境溫度＜85℃

　　100%

　　環(huán)境溫度＜95℃

　　80%

　　環(huán)境溫度＜105℃

　　60%

　　Polymer鉭電容

　　耐壓（額定小于10V）

　　穩(wěn)態(tài)

　　85%

　　瞬態(tài)

　　90%

　　耐壓（額定10~25V）

　　穩(wěn)態(tài)

　　70%

　　瞬態(tài)

　　80%

　　耐壓（額定25以上）

　　穩(wěn)態(tài)

　　60%

　　瞬態(tài)

　　80%

　　環(huán)境溫度

　　穩(wěn)態(tài)

　　≤Tmax-10℃

　　瞬態(tài)

　　≤Tmax

　　反向電壓

　　穩(wěn)態(tài)

　　禁止

　　瞬態(tài)

　　≤2%額定電壓

　　電壓變化率

　　穩(wěn)態(tài)

　　≤15V/ms

　　瞬態(tài)

　　紋波電路

　　環(huán)境溫度＜85℃

　　100%

　　環(huán)境溫度＜95℃

　　85%

　　環(huán)境溫度＜105℃

　　70%

　　電容類型

　　降額參數(shù)

　　電壓（%額定值）

　　溫度（℃）

　　反向電壓

　　嚴(yán)酷

　　一般

　　嚴(yán)酷

　　一般

　　固定紙/塑料薄膜

　　60%

　　70%

　　Tmax-10℃

　　Tmax-10℃

　　固定金屬化薄膜

　　60%

　　70%

　　Tmax-10℃

　　Tmax-10℃

　　固定陶瓷型

　　60%

　　70%

　　Tmax-10℃

　　Tmax-10℃

　　固定鋁電解電容

　　70%

　　80%

　　Tmax-20℃

　　Tmax-20℃

　　可變電容器

　　60%

　　70%

　　Tmax-10℃

　　Tmax-10℃

　　降額設(shè)計(jì)是使電子元器件的工作應(yīng)力適當(dāng)?shù)陀谄湟?guī)定的額定值，從而達(dá)到降低基本故障率，保證系統(tǒng)可靠性的目的。降額設(shè)計(jì)是電子產(chǎn)品可靠性設(shè)計(jì)中的常用的方法。

　　不同的電子元器件所要考慮的應(yīng)力因素是不一樣的，有的是電壓，有的是電流，有的是溫度，有的是頻率，有的是振動(dòng)等等。

　　對(duì)電容的耐壓及頻率特性，電阻的功率，電感的電流及頻率特性，二極管、三極管、可控硅、運(yùn)放、驅(qū)動(dòng)器、門電路等器件的結(jié)電流、結(jié)溫或扇出系數(shù)，電源的開關(guān)和主供電源線纜的耐電壓/電流和耐溫性能，信號(hào)線纜的頻率特性，還有散熱器、接插件、模塊電源等器件的使用要求進(jìn)行降額設(shè)計(jì)。通常，根據(jù)降額幅度的大小可分為一、二、三級(jí)降額，降額（(實(shí)際承受應(yīng)力)/(器件額定應(yīng)力) < 50%的降額）在技術(shù)設(shè)計(jì)上容易實(shí)現(xiàn)，降額的效果也，但存在成本過高的問題；二級(jí)降額（70%左右的降額）在技術(shù)設(shè)計(jì)上也比較容易實(shí)現(xiàn)，降額的效果也很好，并且成本適中；三級(jí)降額在技術(shù)實(shí)現(xiàn)上要仔細(xì)推敲，必要時(shí)要通過系統(tǒng)設(shè)計(jì)采取一些補(bǔ)償措施，才能保證降額效果的實(shí)現(xiàn)，有一定難度，但三級(jí)降額的成本。一般說來，建議使用二級(jí)降額設(shè)計(jì)方法，在保證降額設(shè)計(jì)取得良好效果的同時(shí)，技術(shù)實(shí)現(xiàn)難度和成本都適中。對(duì)于涉及到頻率特性的器件的降額要謹(jǐn)慎處理。

　　部分，我們已經(jīng)發(fā)布了電阻、電容、電感的降額規(guī)范；第二部分，包含：二極管、三極管、MOS管、光電半導(dǎo)體（發(fā)光二極管）

　　二極管降額規(guī)范

　　二極管按功能可分為普通、開關(guān)、穩(wěn)壓等類型二極管；按工作頻率可分為低頻、高頻

　　二極管；按耗散功率（或電流）可分為小功率（小電流）大功率（大電流）二極管。所有

　　二極管需要降額的參數(shù)是基本相同的。

　　高溫是對(duì)二極管破壞性強(qiáng)的應(yīng)力，所以對(duì)二極管的功率和結(jié)溫必須進(jìn)行降額；電壓

　　擊穿是導(dǎo)致二極管失效的另一主要因素，所以二極管的電壓也需降額。

　　器件

　　降額參數(shù)

　　降額-穩(wěn)態(tài)

　　降額-瞬態(tài)

　　快速恢復(fù)二極管

　　快速整流二極管

　　肖特基二極管

　　開關(guān)二極管

　　橋堆

　　正向電流IF

　　90%

　　90%

　　非重復(fù)正向浪涌電流IFSM

　　60%

　　60%

　　反向電壓VR

　　80%

　　90%

　　PIN

　　變?nèi)荻O管

　　功率

　　90%

　　90%

　　反向電壓VR

　　80%

　　90%

　　穩(wěn)壓二極管

　　功率

　　90%

　　90%

　　二極管結(jié)溫的降額，根據(jù)二極管相關(guān)詳細(xì)規(guī)范給出的結(jié)溫T jmax而定，降額后的結(jié)溫見表

　　注：

　　1、所有降額是在結(jié)溫降額滿足的情況下的要求。

　　2、參數(shù)額定值需要從datasheet中查詢

　　3、如果參數(shù)額定值與溫度、時(shí)間無關(guān)，可直接降額

　　4、如果參數(shù)額定值與溫度有關(guān)，則選取結(jié)溫時(shí)的參數(shù)進(jìn)行降額

　　5、如果與時(shí)間有關(guān)，則通過查找datasheet對(duì)應(yīng)的時(shí)間和溫度曲線，根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行降額。

　　三極管MOS管降額規(guī)范

　　1 概述

　　晶體管按結(jié)構(gòu)可分為雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、單結(jié)晶體管等類型；按工作頻率可分為低頻晶體管和高頻晶體管；按耗散功率可分為小功率晶體管和大功率晶體管（簡(jiǎn)稱功率晶體管）。所有晶體管的降額參數(shù)是基本相同的，它們是電壓、電流和功率。但對(duì)MOS 型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、功率晶體管的降額又有特殊的要求。

　　高溫是對(duì)晶體管破壞性強(qiáng)的應(yīng)力，因此晶體管的功耗和結(jié)溫須進(jìn)行降額；電壓擊穿是導(dǎo)致晶體管失效的另一主要因素，所以其電壓須降額。功率晶體管有二次擊穿的現(xiàn)象，因此要對(duì)它的安全工作區(qū)進(jìn)行降額。

　　2、注意事項(xiàng)

　　1 功率晶體管在遭受由于多次開關(guān)過程所致的溫度變化沖擊后會(huì)產(chǎn)生“熱疲勞”失效。使用時(shí)要根據(jù)功率晶體管的相關(guān)詳細(xì)規(guī)范要求限制殼溫的變化值。

　　2 預(yù)計(jì)的瞬間電壓峰值和工作電壓峰值之和不得超過降額電壓的限定值。

　　3 為保證電路長(zhǎng)期可靠的工作，設(shè)計(jì)應(yīng)允許晶體管主要參數(shù)的設(shè)計(jì)容差為：

　　電流放大系數(shù)：±15%（適用于已經(jīng)篩選的晶體管）±30%（適用于未經(jīng)篩選的晶體管）

　　漏電流： +200%

　　開關(guān)時(shí)間: +20%

　　飽和壓降: +15%

　　器件

　　降額參數(shù)

　　降額-穩(wěn)態(tài)

　　降額-瞬態(tài)

　　三極管

　　功率

　　90%

　　90%

　　擊穿電壓VCE、VEB、VCB

　　80%

　　90%

　　結(jié)溫

　　MOS管

　　柵源電壓VGSmax

　　85%

　　85%

　　Vds平臺(tái)電壓

　　80%

　　90%

　　Vds尖峰電壓

　　95%

　　100%

　　漏極電流ID

　　有效值70%

　　有效值70%

　　晶體管結(jié)溫的降額。

　　晶體管結(jié)溫的降額，根據(jù)晶體管相關(guān)詳細(xì)規(guī)范給出的結(jié)溫Tjmax而定，降額后的結(jié)溫見表

　　功率晶體管安全工作區(qū)的降額

　　半導(dǎo)體光電器件降額規(guī)范

　　1 概述

　　半導(dǎo)體光電器件主要有三類：發(fā)光、光敏器件或兩者的結(jié)合。發(fā)光類器件主要有發(fā)光

　　二極管、發(fā)光數(shù)碼管；光敏類器件有光敏二極管、光敏三極管；常用的光電組合器件是光

　　電耦合器，它由發(fā)光二極管和光敏三極管組成。

　　高結(jié)溫和結(jié)點(diǎn)高電壓是半導(dǎo)體光電器件主要的破壞性應(yīng)力，結(jié)溫受結(jié)點(diǎn)電流或功率的

　　影響，所以對(duì)半導(dǎo)體光電器件的結(jié)溫、電流或功率均需進(jìn)行降額。

　　2 應(yīng)用指南

　　1）發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路必須限制電流，通常用一個(gè)串聯(lián)的電阻來實(shí)現(xiàn)。

　　2）一般不應(yīng)采用經(jīng)半波或全波整流的交流正弦波電流作為發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電流。

　　如果確要使用，則不允許其電流峰值超過發(fā)光二極管的直流允許值。

　　3）在整個(gè)壽命期內(nèi)，驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)允許光電耦合器電流傳輸比在降低 15%的情況下仍

　　能正常工作。

　　3 降額準(zhǔn)則

　　半導(dǎo)體光電器件電壓、電流見表。其中：

　　a) 電壓從額定值降額；

　　b) 電流從額定值降額；

　　結(jié)溫降額根據(jù)光電器件相關(guān)詳細(xì)規(guī)范給出的結(jié)溫 T jmax 而定。

　　TVS器件降額規(guī)范     器件應(yīng)力考核點(diǎn)：吸收電流IPM，吸收功率PPM，TVS平均功率PAV，鉗位電壓VC，

　　被保護(hù)器件耐壓VRA

　　1  產(chǎn)品保修期等級(jí)及產(chǎn)品I、II工作區(qū)、產(chǎn)品額定工作點(diǎn)簡(jiǎn)要說明

　　產(chǎn)品保修期等級(jí)：分為A、B兩個(gè)等級(jí)，A級(jí)指保修期為2～3年，B級(jí)指保修期為1～2年。

　　I、II工作區(qū)：

　　產(chǎn)品的I工作區(qū)指產(chǎn)品“正?！惫ぷ鲄^(qū)域，即產(chǎn)品手冊(cè)所規(guī)定的輸入/輸出（環(huán)境溫度/電壓/電流/功率等）所允許變化的區(qū)域，是器件長(zhǎng)期工作的區(qū)域。該區(qū)中的存在某一點(diǎn)（或區(qū)域），對(duì)應(yīng)器件某項(xiàng)參數(shù)的應(yīng)力，稱為I區(qū)該項(xiàng)應(yīng)力的壞情況；

　　II工作區(qū)指產(chǎn)品“異?！惫ぷ鲄^(qū)域，即在開/關(guān)機(jī)、輸入過/欠壓保護(hù)、輸出過壓/過流保護(hù)、輸入/負(fù)載跳變、風(fēng)扇故障停轉(zhuǎn)等“異常”工作情況器件短時(shí)間工作區(qū)域。在該區(qū)域中的某一點(diǎn)對(duì)應(yīng)器件某項(xiàng)參數(shù)的應(yīng)力，稱為II區(qū)該項(xiàng)應(yīng)力壞情況。

　　2  器件應(yīng)力限制

　　2.1  TVS吸收電流IPM

　　在正常使用條件及壞應(yīng)力情況下，TVS吸收的吸收電流降額必須滿足下表：

　　應(yīng)力參考點(diǎn)

　　產(chǎn)品工作區(qū)域

　　B 級(jí)產(chǎn)品

　　A 級(jí)產(chǎn)品

　　吸收電流IPM

　　I、II工作區(qū)壞情況

　?。?0％相應(yīng)殼溫下的脈沖電流IP(TAU)

　?。?5％相應(yīng)殼溫下的脈沖電流IP(TAU)

　　上表中IP(TAU)為TVS的峰值電流對(duì)應(yīng)實(shí)際殼溫下的溫度降額值，

　　當(dāng)殼溫TAU≤25℃時(shí):

　　IP(TAU)＝IPPM                      IPPM為手冊(cè)中規(guī)定TAU＝25℃時(shí)的峰值電流

　　當(dāng)殼溫TA＞25℃時(shí):

　　IP(TAU)＝IPPM×[（TJM-TA）/（TJM-25）]

　　TVS吸收電流降額值：DIP＝IPM/IP(TAU)*100%

　　如TVS器件并聯(lián)使用，則電流降額在上述基礎(chǔ)上，再降額10％。

　　2.2  TVS吸收功率PPM

　　在正常使用條件及壞應(yīng)力情況下，TVS吸收的瞬時(shí)功率與額定功率的降額必須滿足下表：

　　應(yīng)力參考點(diǎn)

　　產(chǎn)品工作區(qū)域

　　B 級(jí)產(chǎn)品

　　A 級(jí)產(chǎn)品

　　吸收功率PPM

　　I、II工作區(qū)壞情況

　?。?0%相應(yīng)殼溫下的功率PP(TAU)

　　＜70%相應(yīng)殼溫下的功率PP(TAU)

　　上表中PP(TAU)為TVS的額定峰值功率對(duì)應(yīng)實(shí)際殼溫TAU下的允許功率，

　　當(dāng)殼溫TAU≤25℃時(shí):

　　PP(TAU)＝PPPM                  PPPM為手冊(cè)中規(guī)定TAU＝25℃時(shí)的峰值吸收功率

　　當(dāng)殼溫TAU＞25℃時(shí):

　　PP(TAU)＝PPPM*[（TJM -TAU）/（TJM -25）]

　　TVS吸收功率降額值：DP＝PPM/PP(TAU)*100%

　　如TVS串聯(lián)或并聯(lián)使用，則功率降額在上述降額的基礎(chǔ)上，再降額10％。

　　2.3  TVS平均功率PAV

　　如TVS工作在連續(xù)狀態(tài)或連續(xù)脈沖狀態(tài)，則功率降額如下：

　　應(yīng)力參考點(diǎn)

　　產(chǎn)品工作區(qū)域

　　B 級(jí)產(chǎn)品

　　A 級(jí)產(chǎn)品

　　連續(xù)功耗PAV

　　I、II工作區(qū)壞情況

　　＜80%相應(yīng)殼溫下的平均功率PM(TAU)

　?。?0%相應(yīng)殼溫下的平均功率PM(TAU)

　　上表中PM(TAU)為TVS的平均功率對(duì)應(yīng)實(shí)際殼溫TAU下的溫度降額值，

　　當(dāng)殼溫TAU≤25℃時(shí):

　　PM(TAU)=PM(AV)              PM(AV)為手冊(cè)中規(guī)定TAU＝25℃時(shí)的額定平均功率

　　當(dāng)殼溫TAU＞25℃時(shí):

　　PM(TAU)＝PM(AV)*[（TJM -TAU）/（TJM -25）]

　　TVS平均功率降額值：DPA＝PAV/PM(TAU)*100%

　　2.4 TVS鉗位電壓VC

　　TVS在實(shí)際電路中的鉗位電壓可以直接測(cè)出，也可以根據(jù)TVS吸收的電流計(jì)算得出:

　　VC＝VBR+(VCM-VBR)* IPM/IPPM

　　VCM為TVS額定吸收電流條件下的鉗位電壓，VBR為TVS擊穿電壓，IPPM為額定吸收電流，IPM為實(shí)際吸收的電流。

　　2.5 被保護(hù)器件耐壓VRA

　　在正常使用及壞應(yīng)力情況下，被保護(hù)器件的耐壓VRA應(yīng)大于TVS的鉗位電壓，TVS的鉗位電壓與被保護(hù)器件的耐壓的降額關(guān)系必須滿足下表：