富士通電子元器件（上海）有限公司今日宣布，推出業(yè)內(nèi)密度8Mbit ReRAM（注１）---“MB85AS8MT”，此款ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品由富士通與松下電器半導(dǎo)體（Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.）（注2）合作開(kāi)發(fā)，將于今年9月開(kāi)始供貨。MB85AS8MT是采用SPI接口并與帶電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器 （EEPROM） 兼容的非揮發(fā)性內(nèi)存，能在1.6至3.6伏特之間的廣泛電壓范圍運(yùn)作。其一大特色是極低的平均電流，在5MHz工作頻率下僅需0.15mA讀取數(shù)據(jù)，這讓需透過(guò)電池供電且經(jīng)常讀取數(shù)據(jù)的裝置能達(dá)到功耗。MB85AS8MT采用極小的晶圓級(jí)封裝 （WL-CSP），所以非常適用于需電池供電的小型穿戴裝置，包括助聽(tīng)器、智能手表及智能手環(huán)等。
　　　富士通電子提供各種鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存 （FRAM）（注3） 產(chǎn)品，能提供比EEPROM與閃存更高的耐寫(xiě)次數(shù)與更快的寫(xiě)入速度。富士通電子的FRAM產(chǎn)品以的非揮發(fā)性內(nèi)存聞名，尤其是需要非常頻繁記錄及保護(hù)寫(xiě)入的數(shù)據(jù)以避免突然斷電時(shí)導(dǎo)致數(shù)據(jù)遺失。但同時(shí)，也有些客戶提出需要較低電流讀取運(yùn)作的內(nèi)存，因?yàn)樗麄兊膽?yīng)用僅需少量的寫(xiě)入次數(shù)，卻極頻繁地讀取數(shù)據(jù)。
　　為滿足此需求，富士通電子特別開(kāi)發(fā)出新型態(tài)的非揮發(fā)性ReRAM內(nèi)存“MB85AS8MT”，兼具“高密度位存取”及“低讀取電流”的特色。其為密度的8Mbit ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品，采用SPI接口、支持1.6至3.6伏特的廣泛電壓，且包含指令與時(shí)序在內(nèi)的電氣規(guī)格都兼容于EEPROM產(chǎn)品。
　　“MB85AS8MT”的特色在于即使擁有超高密度，仍能達(dá)到極小的平均讀取電流。例如，在5MHz的工作頻率下，平均讀取電流為0.15mA，僅相當(dāng)于高密度EEPROM器件所需電流的5%。
　　因此，在需要透過(guò)電池供電的產(chǎn)品中，像是特定程序讀取或設(shè)定數(shù)據(jù)讀取這類需要頻繁讀取數(shù)據(jù)的應(yīng)用中，透過(guò)此內(nèi)存的超低讀取電流特性，該產(chǎn)品即能大幅降低電池的耗電量。
　　在5MHz的工作頻率下，
　　MB85AS8MT的平均讀取電流僅為高密度EEPROM器件的5%
　　除了提供與EEPROM兼容的8針腳小外形封裝 （SOP） 外，還可提供2mm x 3mm的超小型11針腳WL-CSP，適用于裝設(shè)在小型穿戴裝置中。
　　　MB85AS8MT也可提供2mm x 3mm的超小型11針腳WL-CSP
　　高密度內(nèi)存與低功耗的MB85AS8MT采用極小封裝規(guī)格，成為適合用于需以電池供電的小型穿戴裝置的內(nèi)存，例如助聽(tīng)器、智能手表及智能手環(huán)等。
　　富士通電子將持續(xù)致力研發(fā)內(nèi)存，支持客戶對(duì)各種特殊應(yīng)用的需求。