芯朋微熱門(mén)產(chǎn)品PN8305M/H同步整流轉(zhuǎn)換器，與該公司PSR產(chǎn)品PN8386配合使用，輕松實(shí)現(xiàn)5V3A六級(jí)能效電源方案。

　　1.封裝及腳位配置圖
　　PN8386封裝及腳位配置圖

　　PN8386集成超低待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8386為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路，可實(shí)現(xiàn)芯片空載損耗（264VAC）小于50mW。
　　PN8305封裝及腳位配置圖

　　PN8305包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系統(tǒng)中替代次級(jí)整流肖特基二極管。PN8305內(nèi)置電壓降極低的功率MOSFET以提高電流輸出能力，提升轉(zhuǎn)換效率并降低芯片溫度。
　　2.PCB及DEMO實(shí)物圖

　　3.方案典型應(yīng)用圖

　　4.方案特性
　　·PCBA尺寸：42.5mm*41.3mm*20mm
　　·輸入電壓：90~265Vac全電壓
　　·輸出電壓：5V
　　·輸出電流：3A
　　·平均效率：≥81.4%(滿足六級(jí)能效要求)
　　·高壓?jiǎn)?dòng)待機(jī)功耗<75mW
　　·啟動(dòng)時(shí)間：<200ms(90Vac)
　　·擁有輸出短路保護(hù)，輸出過(guò)流保護(hù)，輸出欠壓保護(hù)(PCB端3.1V以下)，VDD過(guò)壓保護(hù)，F(xiàn)B分壓電阻開(kāi)路短路保護(hù)，以及電流檢測(cè)電阻Rcs開(kāi)短路保護(hù)，過(guò)溫保護(hù)。
　　5.測(cè)試數(shù)據(jù)

　　備注：在CC工作狀態(tài)下且系統(tǒng)PCB電壓低于3.1V時(shí)，PN8386會(huì)進(jìn)入保護(hù)狀態(tài)。
　　6.EMC測(cè)試
　　·EMI傳導(dǎo)、輻射滿足EN55022 Class B標(biāo)準(zhǔn)要求，裕量均大于6.0dB
　　·ESD滿足IEC61000-4-2，8kV/15kV等級(jí)要求
　　·EFT滿足IEC 61000-4-4: 2004，4kV等級(jí)要求
　　·Surge滿足IEC 61000-4-5:2005，1kV等級(jí)要求
　　·交流絕緣滿足3.75kV,60s, 漏電流小于5mA要求
　　7.應(yīng)用要點(diǎn)

　　PN8386工作在DCM模式，忽略傳輸瞬態(tài)Tr和Tf，導(dǎo)通時(shí)間、去磁時(shí)間和振蕩時(shí)間分別為：

　　PN8386在T2時(shí)間內(nèi)間接采樣輸出電壓信號(hào)，為減小漏感振蕩對(duì)采樣的影響，T2時(shí)間應(yīng)足夠長(zhǎng)(5V3A應(yīng)用建議大于3.2us)：

　　備注：電源在小負(fù)載工況下，PN8386的Vcs=0.17V以避免音頻噪音。
　　PN8305須在T2時(shí)間內(nèi)完成Trench MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷，其導(dǎo)通時(shí)間由RT電阻設(shè)定：

　　因此，RT電阻建議取值為：