據Intel介紹，HET包含有Intel自己開發(fā)的固件、Intel控制器和高循環(huán)次數NAND.這種技術結合了NAND硅增強性能和獨特的固態(tài)硬盤NAND管理技術，可擴展基于MLC的固態(tài)硬盤的寫入耐用性，實現(xiàn)的耐用性和操作性能。

　　固態(tài)硬盤（Solid State Drives），簡稱固盤，是用固態(tài)電子存儲芯片陣列而制成的硬盤，其芯片的工作溫度范圍很寬，商規(guī)產品（0~70℃）工規(guī)產品（-40~85℃）。雖然成本較高，但也正在逐漸普及到DIY 市場。由于固態(tài)硬盤技術與傳統(tǒng)硬盤技術不同，所以產生了不少新興的存儲器廠商。廠商只需購買NAND存儲器，再配合適當的控制芯片，就可以制造固態(tài)硬盤了。固態(tài)硬盤的接口規(guī)范和定義、功能及使用方法上與普通硬盤的完全相同，在產品外形和尺寸上也完全與普通硬盤一致。

　　我們對Intel的200GB 710企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）的主要興趣是，產品設計重點主要放在耐用性、可靠性和功效上。而將多層單元（MLC）NAND閃存用作主存儲部件也值得關注。Intel將固態(tài)硬盤中的這種MLC NAND實現(xiàn)稱為高耐用性技術（HET）。Intel HET固件增強方面除了一般的工業(yè)糾錯碼（ECC）標準外，還包括優(yōu)化的錯誤避免技術、寫入放大率抑制算法以及系統(tǒng)級錯誤管理功能。

　　單層單元（SLC）閃存通常是企業(yè)級固態(tài)硬盤的更理想選擇，因為從一個單元讀取一個比特的誤差率非常低，而且耐用性也很高。而多層單元（MLC）閃存存在更高的誤碼率，因此讓人感覺耐用性也低很多。然而，業(yè)界一直致力于研究在企業(yè)級固態(tài)硬盤中使用MLC閃存，因為它們可以提供更大的存儲容量，降低生產成本。

　　通過HET實現(xiàn)，Intel想到了一種實現(xiàn)更具可靠性的MLC閃存的方法，它基于這樣一個事實：一個批次中并不是所有MLC閃存芯片都具有相同的特性。一些芯片可能具有更高的讀性能和更好的數據保持質量，對這些特性的理解成為了Intel在710固態(tài)硬盤中將MLC NAND閃存用作HET的主要原因。

　　1.20個MT29F16B08CCME1 NAND MLC集成電路，以鏡像方式安裝在電路板的正反面，實現(xiàn)了存儲容量高達200GB的Intel 710固態(tài)硬盤。

　　每個NAND閃存器件封裝包含兩個堆疊的64Gb、25nm L74A NAND閃存裸片，因此每個封裝容量為128Gb.總的閃存容量實際上是320GB,因此具有很高程度的預留空間。

　　2.系統(tǒng)存儲控制器使用了一個512Mb的海力士H55S5162EFR移動SDRAM.Intel使用移動SDRAM的決定是很有意義的，因為它能提供要求的性能等級，同時又能限度地降低功耗。這里降低功耗很重要，因為在硬盤工作時DRAM具有很大的處理工作量，特別是在企業(yè)級應用中。

　　3.并聯(lián)使用了6個470μF的電容，可以存儲要求的緊急電量，并在發(fā)生電源故障時讓硬盤有足夠長的時間退出正在進行的操作。總容量接近2.8mF.這種方法不僅能在短時間內給硬盤提供足夠的電能，而且不會占用很大的電路板空間。

　　4.這種固態(tài)硬盤使用了Intel的PC29AS21BA0控制器。其它Intel固態(tài)硬盤也使用這種控制器，但很可能固件得到了更新，使得它特別適合710硬盤的使用情況。

　　ONFI的使用

　　我們把一個Intel 29F16B08CCME1 25nm MLC NAND閃存器件連接到了我們的閃存測試儀。測試表明，這種器件兼容開放NAND閃存接口（ONFI）規(guī)范。器件返回的詳細ONFI參數字節(jié)（詳細的器件參數和支持功能列表）表明，它支持ONFI版本2.2,并且支持控制器使用的各種異步操作。

　　ONFI規(guī)范描述了單獨的I/O電源VCCQ選項，電壓低至1.8V,在Intel 710固態(tài)硬盤中這個電源已經實現(xiàn)。因此，I/O總線工作時的功耗要顯著小于VCCQ電源為3.3V VCC時的功耗。

　　在固態(tài)硬盤讀寫操作時監(jiān)視NAND閃存器件的引腳可以觀察控制器與閃存的交互操作?？刂破骶哂懈叨鹊牟⑿羞\行機制，其多平面操作可直達每個裸片，并對所有閃存器件保持一個有組織的和平均分布的數據寫入。

　　Intel 710固態(tài)硬盤中采用的辨別和使用高質量MLC NAND閃存的創(chuàng)新方法，加上斷電時的可靠性、非常大容量的預留空間以及降低的功耗，使得Intel 710成為一種獨特且創(chuàng)新的企業(yè)級固態(tài)硬盤，可進一步增強企業(yè)級和消費級存儲器之間的區(qū)別。

　　終上所述，此款Intel 710企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）產品設計重點主要放在耐用性、可靠性和功效上。而將多層單元（MLC）NAND閃存用作主存儲部件。Intel將固態(tài)硬盤中的這種MLC NAND實現(xiàn)稱為高耐用性技術（HET）。并且Intel HET固件增強方面除了一般的工業(yè)糾錯碼（ECC）標準外，還包括優(yōu)化的錯誤避免技術、寫入放大率抑制算法以及系統(tǒng)級錯誤管理功能。 因此被廣泛應用于軍事、車載、工控、視頻監(jiān)控、網絡監(jiān)控、網絡終端、電力、醫(yī)療、航空、導航設備等領域。